[发明专利]多晶硅的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200710040642.4 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308787A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;金贤在 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：
a)提供一基板，并在基板上形成一栅氧化层；
b)在所述的栅氧化层上依次淀积数层多晶硅层，且该数层多晶硅层的掺杂浓度依次减小；
c)对所述的数层多晶硅层进行干法刻蚀，以形成垂直截面；以及
d)采用硝酸与氢氟酸对所述的数层多晶硅层进行湿法刻蚀，以形成类倒梯形截面。
2、如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：步骤b)中在栅氧化层上淀积2～10层多晶硅层。
3、如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过改变多晶硅层的掺杂浓度或湿法刻蚀的反应时间来调整多晶硅截面侧边的倾斜程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
