[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成多晶硅层；

减小第二区域的多晶硅层厚度，使所述第二区域的多晶硅层厚度小于所述第一区域的多晶硅层厚度；

图形化所述第一区域和第二区域的多晶硅层，在所述第一区域形成第一栅极，在所述第二区域形成第二栅极；其中，

减小第二区域的多晶硅层厚度，使所述第二区域的多晶硅层厚度小于所述第一区域的多晶硅层厚度的步骤包括：

在所述第一区域的多晶硅层上形成覆盖层；

以所述覆盖层作为阻挡层，对所述第二区域的多晶硅层掺杂，形成比多晶硅层刻蚀速率快的掺杂多晶硅层；

去除所述覆盖层；

刻蚀去除第二区域的掺杂多晶硅层；

或者包括：

在所述第一区域的多晶硅层上形成覆盖层；

以所述覆盖层作为阻挡层，对所述第二区域的多晶硅层掺杂，形成比多晶硅层刻蚀速率快的掺杂多晶硅层；

刻蚀去除第二区域的掺杂多晶硅层；

去除所述覆盖层。

2、如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述覆盖层为光刻胶。

3、如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述掺杂掺入的杂质为磷或砷中的一种。

4、如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述掺杂的能量为1至8KeV。

5、如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述掺杂的剂量为2×10¹⁵至4×10¹⁵cm^-2。

6、如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，图形化所述第一区域和第二区域的多晶硅层，在所述第一区域形成第一栅极，在所述第二区域形成第二栅极的步骤包括：

在所述第一区域和第二区域的多晶硅层上形成抗反射层；

在所述抗反射层上旋涂光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，在第一区域形成第一栅极图案，在第二区域形成第二栅极图案；

刻蚀去除未被所述第一栅极图案和第二栅极图案覆盖的抗反射层和多晶硅层；

去除所述第一栅极图案、第二栅极图案和抗反射层。

7、如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，图形化所述第一区域和第二区域的多晶硅层，在所述第一区域形成第一栅极，在所述第二区域形成第二栅极的步骤包括：

在所述第一区域和第二区域的多晶硅层上形成金属层；

平坦化所述金属层；

在所述金属层上旋涂光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，在第一区域形成第一栅极图案，在第二区域形成第二栅极图案；

刻蚀去除未被所述第一栅极图案和第二栅极图案覆盖的金属层和多晶硅层；

去除所述第一栅极图案和第二栅极图案。

8、如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在所述金属层上旋涂光刻胶层之前，在所述金属层上先形成抗反射层；并在去除所述第一栅极图案和第二栅极图案之后去除所述抗反射层。

9、如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：去除所述第一栅极图案和第二栅极图案后，对所述半导体衬底进行退火。

10、如权利要求7或8或9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述金属层的金属材质包括铝、钽、钼、锆、铪、钛、钒、钴、钯、镍、铼、钌或铂中的一种。