[发明专利]一种掩模版的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造工艺，尤其涉及一种掩模版的制造方法。

背景技术

现有的锡铅凸块(bumping)制造工艺，通常是采用如图1所示的具有曝光图形10的掩模版1(黑色代表不透光部分)，在涂覆有负性光阻的晶圆上进行曝光，从而将曝光图形10转移到晶圆上。通常，相邻两个曝光场的边缘几乎重合，因此，有时会出现曝光场边缘欠显影(underdeveloper)的问题，即应该形成开口的地方，经光刻、显影后没有完全打开，还残留着部分光阻。这些光阻残留物会对后续的电镀制程起到阻碍作用，并进而影响产品的良率。

造成欠显影的主要原因是由于曝光场边缘区域的二次曝光。参见图2a，当采用如图1所示的掩模版1进行曝光时，曝光光线通过掩模版1的透光区域(除曝光图形10以外的区域)照射到晶圆3表面的负性光阻2上，吸收了光线的光阻2的特性发生改变，使其在后续的显影制程中被保留下来，而未照光的部分将被去除。

当完成一个曝光场的曝光后，掩模版1被移动到下一个曝光场进行下一次曝光。如图2b所示，由于两个曝光场的边缘几乎重合，使得在进行后一次曝光时，曝光光线的二级、三级散射光会照射到前一个曝光场的已曝光区域21。由于该区域21已受过光照，其对光线的吸收系数大大降低，使得这部分散射光透过已曝光区域21反射或者折射到未曝光区域22，导致未曝光区域22的部分光阻特性发生改变，使其在显影过程中无法去除。

图3显示了图2b中的晶圆3经显影后得到的结果，其中，应当形成开孔的区域22形成了一部分光阻残留，对后续的电镀制程造成不良影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版的制造方法，以解决锡铅凸块工艺中产生的欠显影问题。

为了达到上述的目的，本发明提供一种掩模版的制造方法，所述掩模版用于锡铅凸块工艺，通过曝光将掩模版上的曝光图形转移到涂覆有负性光阻的晶圆上形成电路图形，且相邻曝光场的间距很小，所述方法包括下列步骤：(1)提供一掩模基板；(2)在掩模基板上形成曝光图形；以及(3)在掩模基板的边缘形成具有一定宽度的挡光区域，以防止曝光光线经掩模版照射到相邻曝光场的电路图形上，并且所述挡光区域的宽度随着光阻厚度的增加而增加。

本发明的掩模版制造方法，通过在掩模版边缘增加一挡光区域，使每个曝光场的边缘都留有一定宽度的未曝光区域，当散射光照射到该边缘未曝光区域时，会被该区域的光阻直接吸收，从而避免了散射光进一步反射或者折射到其它未曝光区域，防止了欠显影的产生，有效提高了产品的良率。

通过以下实施例并结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

附图说明

图1为现有工艺中采用的掩模版的结构示意图；

图2a和图2b为采用图1所示的掩模版进行曝光的示意图；

图3为对图2b所示的经曝光的晶圆进行显影后的示意图；

图4为采用本发明的方法制造的掩模版的结构示意图；

图5为光阻厚度与掩模版挡光区域宽度的关系曲线图；

图6a和图6b为采用图4所示的掩模版进行曝光的示意图；

图7为对图6b所示的经曝光的晶圆进行显影后的示意图。

以下将对本发明的掩模版制造方法作进一步的详细描述。

具体实施方式

本发明所制造的掩模版主要用于Bumping工艺，通过曝光将掩模版上的曝光图形转移到涂覆有负性光阻的晶圆上以形成所需的电路图形。

参照图4，本发明的掩模版制造方法依次包括：提供一掩模基板1；在掩模基板1上形成曝光图形10；以及在掩模基板1的边缘形成具有一定宽度w的挡光区域11。该挡光区域11用于防止曝光光线经掩模版1照射到相邻曝光场的电路图形上，挡光区域11宽度w的设置是根据光阻的厚度来决定的。

表1列出了挡光区域宽度w和光阻厚度之间的取值关系，于实际的制造工艺中，允许光阻厚度存在±5微米的偏差，因此，表中所列的光阻厚度数据均可上下浮动5微米。