[发明专利]一种掩模版的制造方法有效
| 申请号： | 200710039783.4 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290468A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李德君;佟大明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模版 制造 方法 | ||
1.一种掩模版的制造方法，所述掩模版用于锡铅凸块工艺，通过曝光将掩模版上的曝光图形转移到涂覆有负性光阻的晶圆上形成电路图形，且相邻曝光场的间距很小，其特征在于，所述方法包括下列步骤：
(1)提供一掩模基板；
(2)在掩模基板上形成曝光图形；以及
(3)在掩模基板的边缘形成具有一定宽度的挡光区域，以防止曝光光线经掩模版照射到相邻曝光场的电路图形上，并且所述挡光区域的宽度随着光阻厚度的增加而增加。
2.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在30±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在2.5±0.75微米的范围内。
3.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在50±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在4±1.2微米的范围内。
4.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在60±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在5±1.5微米的范围内。
5.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在70±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在6±1.8微米的范围内。
6.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在80±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在6.75±2微米的范围内。
7.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于：当光阻的厚度在100±5微米的范围内时，挡光区域的宽度设定在7.5±2.25微米的范围内。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
