[发明专利]图形化方法有效
| 申请号: | 200710037440.4 | 申请日: | 2007-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101246305A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 王谨恒 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图形 方法 | ||
1. 一种图形化方法,其特征在于,包括:
提供布局图形,所述布局图形带有至少两条交叉矩形线条;
将所述交叉矩形线条分解为非交叉的矩形线条并形成在不同掩模版上;
提供带有光刻胶层的半导体衬底;
分别以不同掩模版为掩模,对半导体衬底的光刻胶层分别进行曝光,将布局图形转移至半导体衬底的光刻胶层上。
2. 根据权利要求1所述的图形化方法,其特征在于:所述交叉矩形线条形成的角度为直角、钝角或者锐角。
3. 根据权利要求2所述的图形化方法,其特征在于:所述交叉矩形线条的每个矩形线条的最小尺寸为小于或等于130nm。
4. 根据权利要求1所述的图形化方法,其特征在于:所述掩模版为带有膜层的透光基板,所述膜层为铬,所述透光基板为石英。
5. 根据权利要求1所述的图形化方法,其特征在于:所述光刻胶层采用旋涂方法制备,所述光刻胶层厚度范围为小于或者等于10000。
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