[发明专利]一种低温釉下裂纹的生产方法无效
| 申请号： | 200710035863.2 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101168489A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 成伟 | 申请（专利权）人： | 成伟 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86 |
| 代理公司： | 湖南省娄底市兴娄专利事务所 | 代理人： | 朱成实 |
| 地址： | 417700湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 裂纹 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温釉下裂纹的生产方法，其特征是生产步骤如下：
a、按传统工艺制作坯体；
b、按传统工艺进行坯体素烧，素烧温度1030～1060℃；
C、在坯体上施涂中间层；
所述中间层配方为硅石粉48～55％、长石粉25～32％、1185釉5～12％、高岭土8～15％；施涂方法是先将配好的中间层原料加水制成波美浓度为38～42度的混和液，再将坯体置于混和液中浸施3～4秒钟，使涂层厚度牵连到0.4～0.6毫米；
d、在施涂好的中间层上绘彩、装饰；
e、将绘彩装饰好的半成品装入全自动隧道窑烤烧，烤烧温度1030～1060℃，烤烧时间4.5～6.5小时；
f、在烤烧好的中间层上施涂一层与坯体膨胀系数相适应透明釉，再入窑釉烧，釉烧温度990～1100℃，釉烧后得到成品。
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