[发明专利]一种沟槽型功率晶体管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率晶体管的制造方法，特别涉及一种沟槽型功率晶体管的制造方法，属于半导体的制造领域。

背景技术

就目前沟槽型功率晶体管的制造工艺而言，往往需要至少六层的掩膜板及利用六道光刻工艺步骤，即1)有源区、2)P-阱、3)N+源区、4)接触窗、5)金属层、6)钝化层；以及4道炉管氧化及热处理工艺步骤，即1)垫层氧化、2)栅极氧化、3)P-阱驱入、4)有源区活化。这样的制造工艺，就导致沟槽型功率晶体管的制造工艺比较繁琐，生产效率低。同时，也在一定程度上增加了元件的变异性，容易产生较大的偏差，降低成品率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种沟槽型功率晶体管的制造方法。

本发明的目的通过以下技术解决方案来实现：

一种沟槽型功率晶体管的制造方法，其中：此方法包括两道炉管氧化步骤，四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，所述的两道炉管氧化步骤为垫层氧化和栅极氧化生长步骤；所述的四层掩膜板及四道光刻工艺步骤，分为有源区成形步骤、接触窗沉积及成形步骤、金属层沉积及成形步骤、钝化层密封及成形步骤。

本发明的优点在于：不需要采用原先的六层的掩膜板及利用六道光刻工艺步骤，无需内层介电层氧化、化学机械抛光或内层介电层氧化回蚀的步骤，即可达到内层介电层平坦化的目的。特别是针对沟槽型功率晶体管而言，其功率电晶体需要30000A以上厚度的前面板金属，具有较宽金属层黄光/蚀刻制程工艺能力，采用本发明制造工艺，利用聚乙烯化学机械平面化降低功率电晶体处理光刻掩膜板工艺步骤，此方法具有降低成本、缩短工艺周期的优势。

附图说明

本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。这些附图当中，

图1是垫层生长的示意图；

图2是STI光刻及STI蚀刻的示意图；

图3是栅极氧化层及N⁺掺杂多晶硅沉积的示意图；

图4是ILD沉积的示意图；

图5是接触窗及金属层光刻、蚀刻的示意图；

图6是制成后的沟槽型功率晶体管的剖面示意图；

图7是制成后的沟槽型功率晶体管的俯视图。

图中各附图标记的含义如下：

  序号  指代  序号  指代  1  N⁺衬底  2  N^-外延层  3  P^-外延层  4  N⁺外延层  5  垫层生长  6  栅极氧化层