[发明专利]一种制备TaC纳米粉末材料的方法无效

专利信息
申请号: 200710011565.X 申请日: 2007-06-06
公开(公告)号: CN101318653A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 耿殿禹;张志东;李达;王振华;刘先国;佟敏;张滨;胡魁义;任卫军;宋小平 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B31/30 分类号: C01B31/30;C04B35/622;C04B35/56;B82B3/00
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 代理人: 张致仁
地址: 110015辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 tac 纳米 粉末 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种制备TaC纳米粉末材料的方法,纳米粉末的外壳为碳,其特征在于:用氩气和乙醇作为工作气体,采用电弧放电产生等离子体的制备技术;

所用消耗阳极的成分为Ta,所用消耗阴极的成分为石墨;

制备TaC纳米粉末是在氩气和C2H5OH混合气氛中进行,氩气压强为0.5kPa-0.5MPa,C2H5OH所用量与工作腔体积成正比,为0.05-5ml/升;

所用消耗阳极与阴极距离为0.1mm-5cm,电弧放电的电流为8-600A,电压为5-50V。

2.按照权利要求1所述的制备TaC纳米粉末材料的方法,其特征在于:所述的TaC纳米粉末颗粒直径小于50nm。

3.按照权利要求1所述的制备TaC纳米粉末材料的方法,其特征在于:所述的TaC纳米粉末的碳壳厚度为2-5nm,用纯硝酸加热脱去多余的碳。

4.按照权利要求1所述的制备TaC纳米粉末材料的方法,其特征在于:所消耗的阳极Ta,要置于水冷铜阳极上的铜坩锅中,铜坩锅底的厚度为3-30mm。

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