[发明专利]一种制备TaC纳米粉末材料的方法无效

专利信息
申请号: 200710011565.X 申请日: 2007-06-06
公开(公告)号: CN101318653A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 耿殿禹;张志东;李达;王振华;刘先国;佟敏;张滨;胡魁义;任卫军;宋小平 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B31/30 分类号: C01B31/30;C04B35/622;C04B35/56;B82B3/00
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 代理人: 张致仁
地址: 110015辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 tac 纳米 粉末 材料 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种制备金属的纳米粉末材料的技术,特别提供了一种在氩气和C2H5OH混合气氛中制备TaC纳米粉末材料的方法。

背景技术

TaC纳米粉末材料在涂层工业中有重要用途。TaC硬度大、熔点为3985℃、高温性能良好。TaC纳米粉末材料,用作喷气发动机涡轮叶片和火箭喷嘴涂层,可显著地提高其使用寿命。在电子发射管生产中,以TaC纳米粉末作中间层复合涂层。用TaC与钨、铝、镍、钴、钒等一系列金属合成的超级合金,是超音速喷气式飞机、火箭和导弹等的良好结构材料。在机械工业中,用TaC纳米粉等硬质合金制造的刀具,能经受近3000℃的高温,其硬度可以与世界上最坚硬的物质——金刚石相媲美。TaC还是第二类超导体材料,可制备非理想的第二类硬超导体。

专利CN2003101103365,纳米相TaC-过渡金属基复合粉末的制备方法,公开了用化学方法制备TaC纳米粉末材料的方法。用C2H5OH制备TaC纳米粉末材料的方法未见报导。

发明内容

本发明的目的是提供制备金属的纳米粉末材料技术。

具体地,本发明提供了一种TaC化合物纳米粉末材料的制备方法,其特征在于:所述的TaC化合物纳米粉末材料的制备方法,采用电弧放电产生等离子体的制备技术。

所述的TaC纳米粉末材料的外壳为碳,优选地,碳壳厚度为2-5nm,用纯硝酸加热脱去多余的碳。

制备TaC纳米粉末是在氩气和C2H5OH混合气氛中进行的;氩气压强为0.5kPa-0.5MPa;C2H5OH所用量与工作腔体积成正比,为0.05-5ml/升。

本发明的金属碳化物纳米粉末材料的制备方法中,所用消耗阳极的成分为Ta,优选地,阳极置于水冷阳极之上;

所用消耗阴极的成分为石墨,阳极与阴极距离为0.1mm-5cm;电弧放电的电流为8-600A,电压为5-50V。

本发明的TaC纳米粉末材料的制备方法中,制备完后,可以用含有0-70%空气的氩气钝化,钝化时间为0-100小时,再进行纳米粉末的收集。

本发明的金属碳化物纳米粉末材料的制备方法中,所述水冷阳极和消耗阳极之间有铜坩锅,铜坩锅底的厚度为3-30mm。

本发明中采用电弧放电产生等离子体的制备技术,具体的原理是:

制备中电弧等离子体主要是电离了Ta,C,Ar,H的气体,它是由电子、离子和中性粒子组成。其中电子和离子的总数基本相等,因而作为整体是电中性的,若等离子体一旦出现电荷分离,立即就会产生巨大的电场。

在电弧放电过程中,电子在电场中获得的能量w=电量*电压,电子的电荷量为e=1.6×10-19库仑,当电压V=2伏特时,因而可以得到2eV=2×1.6×10-19库仑×伏特=3.2×10-19焦耳。根据温度的微观定义,E=W=3/2kT=2eV=3.2×10-19焦耳,把玻耳兹曼常数代入便可得到电子温度T:

T=23200K

这仅是考虑单独电子行为。电子能量很大温度很高,但数量很少。当等离子态变为正常态时,温度骤降,这为熔点高达3985℃而且性质稳定的TaC的形成提供了条件。

德拜(Debye)长度λ0描述粒子无规则运动所引起的电荷分离尺度,它与电子温度T的平方根成正比,而与电子数密度ne的平方根成反比。

λ0=(ε0kT/e2ne)1/2

ε0是介电常数,k是玻尔兹曼常数。德拜长度定量的描述了等离子体由于某种原因引起的局部电荷分离,使电中性受到破坏的程度。也可以把λ0看作电离气体是否是等离子体的一个衡量尺度.

温度是104K,在电弧放电产生的等离子体中德拜长度约为700纳米,密度是1014cm-3,当温度为5×103K约为500纳米.电中性受到破坏德拜长度约是在数百纳米,温度骤降到熔点以下。金属化合物蒸气易于形核长大,因密度低,形成纳米的TaC的颗粒。TaC的颗粒进一步形成集聚体。

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