[发明专利]接触结构及其制作方法

权利要求书

1. 一种接触结构，包括：

接垫，配置于基板上；

高分子凸块，配置于该接垫上；以及

导电层，覆盖该高分子凸块并且延伸至该高分子凸块的外部，其中延伸至该高分子凸块外部的该导电层是作为测试垫。

2. 如权利要求1所述的接触结构，更包括延伸层，配置于该基板以及该测试垫之间。

3. 如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸层与该高分子凸块连接在一起或是分离开来。

4. 如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸层的高度小于或等于该高分子凸块的高度。

5. 如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸层的材质与该高分子凸块的材质相同或不同。

6. 如权利要求2所述的接触结构，其中该延伸层与该高分子凸块至少其中之一的上表面为平滑的平面或是粗糙的表面。

7. 如权利要求6所述的接触结构，其中该粗糙的表面是由多个凸起结构、多个凹陷结构或是多个沟槽状结构所构成。

8. 如权利要求1所述的接触结构，更包括保护层，配置在该基板上并暴露出该接垫。

9. 如权利要求1所述的接触结构，其中该高分子凸块的材质包括聚亚酰胺、环氧树脂或压克力等高分子材料。

10. 如权利要求1所述的接触结构，其中该导电层是全部覆盖该高分子凸块或是部分覆盖该高分子凸块。

11. 如权利要求1所述的接触结构，其中该基板包括硅基板、玻璃基板、印刷电路板、可挠式线路板或是陶瓷基板。

12. 如权利要求1所述的接触结构，其中该高分子凸块的横向剖面形状为矩形、圆形、多边形、十字型、双十字型或是U字型。

13.一种接触结构的制作方法，包括：

提供基板，该基板上已形成有接垫；

在该接垫上形成高分子凸块；

在该高分子凸块上形成导电层，其中该导电层会覆盖该高分子凸块并且延伸至该高分子凸块的外部，而延伸至该高分子凸块外部的该导电层是作为测试垫。

14.  如权利要求13所述的接触结构的制作方法，其中在形成该高分子凸块的同时，更包括形成延伸层。

15. 如权利要求14所述的接触结构的制作方法，其中该延伸层与该高分子凸块连接在一起或是分离开来。

16. 如权利要求14所述的接触结构的制作方法，其中该延伸层的高度小于或等于该高分子凸块的高度。

17. 如权利要求14所述的接触结构的制作方法，其中该延伸层的材质与该高分子凸块的材质相同或不同。

18. 如权利要求14所述的接触结构，其中该延伸层与该高分子凸块至少其中之一的上表面为平滑的平面或是粗糙的表面。

19. 如权利要求18所述的接触结构，其中该粗糙的表面是由多个凸起结构、多个凹陷结构或是多个沟槽状结构所构成。

20. 如权利要求13所述的接触结构的制作方法，其中在形成该高分子凸块之前，更包括在该基板上形成保护层，其暴露出该接垫。

21. 如权利要求13所述的接触结构制作方法，其中该导电层是全部覆盖该高分子凸块或是部分覆盖该高分子凸块。