[发明专利]等离子体显示装置无效
| 申请号: | 200710002928.3 | 申请日: | 2007-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN101083029A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 柳成男;全佑坤;洪相玟;金禹泰;姜炅雅;咸正现;金在声 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | G09F9/313 | 分类号: | G09F9/313;G09G3/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;徐谦 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体显示(Plasma Display)装置,更详细地,涉及等离子体显示装置所具备的面板(Panel)
背景技术
在等离子体显示板的上部基板和下部基板之间形成的隔壁形成一个单位单元,并在各单元内填充了氖(Ne)、氦(He)或氖和氦的混合气体(Ne+He)那样的主放电气体和含有少量氙的非活性气体。当由于高频电压而进行放电时,非活性气体产生真空紫外线(Vacuum Ultraviolet rays),并使隔壁间所形成的荧光体发光来显现图像。由于这种等离子体显示板可以构成为轻量薄型,故作为下一代的显示装置而倍受关注。
图1是表示一般的等离子体显示板构造的图。如图1所示,在等离子体显示板中,上部面板100和下部面板110隔开一定距离且平行地结合。其中,上部面板100是在作为显示图像的显示面的上部基板101之上排列有成对地形成了扫描电极102以及保持电极103的多个维持电极对的面板;下部面板110是在成为背面的下部基板111上与多个上述维持电极对交叉地排列有多个寻址电极113的面板。
在上部面板100上具有成对的由用透明的ITO(Indium Tin Oxide)所形成的透明电极102a、103a和总线电极102b、103b构成的扫描电极102以及保持电极103。扫描电极102以及保持电极103被上部电介质层104覆盖,并在上部电介质层104之上形成有保护层105。
下部面板110包括用于划分放电单元的隔壁112。另外,多个寻址电极113与隔壁112平行地配置。在寻址电极113之上涂敷有R(Red)、G(Green)、B(Blue)的荧光体114。在寻址电极113和荧光体114之间形成有下部电介质层115。
另一方面,构成以往的等离子体显示板的扫描电极102或保持电极103的透明电极102a、103a由高价的ITO(Indium Tin Oxide)形成。透明电极102a、103a成为使等离子体显示板制造成本上升的原因。因此,最近人们着眼于制造减少制造成本且可确保使用者视听时获得足够的视觉特性及驱动特性等的等离子体显示板。
发明内容
本发明就是为了解决上述以往技术的问题而做出的,其目的在于,提供在等离子体显示装置所具备的面板中可以将由ITO形成的透明电极去除而降低面板的制造成本,并可以改善显示影像的黑点以及亮点的产生的等离子体显示装置。
为此,基于本发明的第一实施例的等离子体显示装置,构成为,包括:上部基板;形成于上述上部基板上的多个第一电极和第二电极;与上述上部基板相对配置的下部基板;以及形成于上述下部基板上的多个第三电极;其特征在于,上述第一、2电极中的至少一者由单一层(one layer)形成,上述第一、二电极中的至少一者的厚度是3至7μm。
基于本发明的第二实施例的等离子体显示装置,构成为,包括:上部基板;形成于上述上部基板上的第一电极和第二电极;与上述上部基板相对配置的下部基板;以及形成于上述下部基板上的第三电极;其特征在于,多个上述第一、二电极中的至少一者由单一层(one layer)形成,包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的突出部,上述突出部的宽度是30至70μm。
上述突出部是两个以上,最好形成至少一个闭环并向与上述线路部交叉的方向突出。
基于用于解决上述技术课题的本发明的第3实施例的等离子体显示装置,构成为,包括:上部基板;形成于上述上部基板上的第一电极和第二电极;与上述上部基板相对配置的下部基板;形成于上述下部基板上的第三电极。其特征在于,上述第一、二电极中的至少一者由单一层(one layer)形成,包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的两个以上的突出部,上述突出部中的相邻的突出部之间的间隔是30至100μm。
上述突出部最好形成至少一个闭环并向与上述线路部交叉的方向突出。
基于用于解决上述技术课题的本发明的第4实施例的等离子体显示装置,构成为,包括:上部基板;形成于上述上部基板上的第一电极和第二电极;与上述上部基板相对配置的下部基板;以及形成于上述下部基板上的第三电极。其特征在于,上述第一、二电极中的至少一者由单一层(onelayer)形成,包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的突出部,上述第一电极的突出部和上述第二电极的突出部之间的间隔是15至165μm。。
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