[发明专利]等离子体显示装置

权利要求书

1.一种等离子体显示装置，包括：上部基板；形成于上述上部基板上的多个第一电极和第二电极；与上述上部基板相对配置的下部基板；以及形成于上述下部基板上的多个第三电极；其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者由单一层形成，上述多个第一、二电极中的至少一者的厚度是3至7μm。

2.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者包括：形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的突出部。

3.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者的电阻是50至65Ω。

4.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者的电阻是40至90Ω。

5.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述电极的电阻是位于上述面板的有效显示区域内的上述电极的两端部之间的电阻。

6.如权利要求2所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述线路部是两个以上，上述两个以上的线路部中的彼此相邻的两个线路部间的间隔是80至120μm。

7.如权利要求2所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述突出部形成至少一个闭环。

8.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

还包括覆盖上述第一、二电极的上部电介质层，上述第一、二电极中的至少一者比上述上部电介质层颜色暗。

9.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，

在上述下部基板上还形成有：电介质层；划分放电单元的隔壁；以及荧光体层。

10.一种等离子体显示装置，包括：上部基板；形成于上述上部基板上的多个第一电极和第二电极；与上述上部基板相对配置的下部基板；以及形成于上述下部基板上的多个第三电极；其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者由单一层形成，包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的突出部，

上述突出部的宽度是35至70μm。

11.如权利要求10所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述突出部的宽度是35至45μm。

12.如权利要求10所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述突出部是两个以上。

13.如权利要求10所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述突出部形成至少一个闭环。

14.一种等离子体显示装置，包括：上部基板；形成于上述上部基板上的多个第一电极和第二电极；与上述上部基板相对配置的下部基板；以及形成于上述下部基板上的多个第三电极；其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者由单一层形成，包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部突出出来的突出部，

上述第一电极的突出部与上述第二电极的突出部之间的间隔是15至165μm。

15.如权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述第一电极的突出部与上述第二电极的突出部之间的间隔是60至120μm。

16.如权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于，

还包括覆盖上述第一、二电极的上部电介质层，

上述第一、二电极中的至少一者比上述上部电介质层颜色暗。

17.如权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于，

上述突出部形成至少一个的闭环。

18.一种等离子体显示装置，包括：上部基板；形成于上述上部基板上的多个第一电极和第二电极；与上述上部基板相对配置的下部基板；以及形成于上述下部基板上的多个第三电极；其特征在于，

上述多个第一、二电极中的至少一者由单一层形成，包括形成于与上述第三电极交叉的方向的线路部、和从上述线路部向与上述线路部相邻的隔壁方向突出的突出部，

上述突出部的长度是30至100μm。