[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710002456.1 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101068018A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 崔壬汾;施教仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：
一栅极结构，位于一半导体基底上；
一源/漏极区域，位于该半导体基底之中，横向地邻接于该栅极结构；
一第一介电层，位于该栅极结构及该源/漏极区域的上方，其中该第一介电层具有一第一接触孔，其形成于该栅极结构或该源/漏极区域至少其中之一的上方；
一第一接触插塞，是由一第一导电材料填充于该第一接触孔之中形成，其中该第一接触插塞电性耦接该栅极结构或该源/漏极区域至少其中之一；
一第二介电层，位于该第一介电层及该第一接触插塞的上方，其中该第二介电层具有一第二接触孔，用以暴露该第一接触插塞；以及
一第二接触插塞，是由一第二导电材料填充于该第二接触孔之中形成，其中该第二接触插塞电性耦接该第一接触插塞；
其中该第二导电材料与该第一导电材料为不同的材料，且该第二导电材料的电阻低于该第一导电材料的电阻。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电材料包含钨或其合金。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电材料包含铜或其合金。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二介电层的介电常数等于或小于4.0。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包含：
一扩散阻障层，位于该第二接触孔的底部及侧壁，其中该扩散阻障层设置在该第二介电层与该第二接触插塞之间。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包含：
一蚀刻停止层，介于该第一介电层与该第二介电层之间，其中该第二接触孔穿过该第二介电层与该蚀刻停止层，以暴露该第一接触插塞的顶部。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包含：
一金属硅化层，分别地形成于该栅极结构及该源/漏极区域的上方，其中该第一接触孔暴露该栅极结构上的该金属硅化层或该源/漏极区域上的该金属硅化层至少其中之一；以及
一接触孔蚀刻停止层，介于该第一介电层及该金属硅化层之间，其中该第一接触孔穿过该第一介电层及该接触孔蚀刻停止层，以暴露该金属硅化层。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触孔是一单镶嵌式开口或一双镶嵌式开口。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触孔的宽度是等于或大于该第一接触孔的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一接触孔的深度小于1.5倍的栅极结构高度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
