[发明专利]磁头

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁头，更确切地涉及一种特征在于读头屏蔽层的磁头

背景技术

图10示出了记录介质5与从记录介质5读取数据的磁头的读头之间的位置关系。在读头中，读元件10夹在作为磁性层的下屏蔽层12与上屏蔽层14之间。下屏蔽层12和上屏蔽层14屏蔽读元件10，以防止并非目标位的位的磁场作用到读元件10。下屏蔽层12和上屏蔽层14由软磁性材料制成，并通常通过电解镀敷而形成为矩形。

读元件10包括定向自由层的磁化方向的硬膜。在磁头的生产过程中，作为磁化处理，对磁头施加强磁场，从而定向硬膜的磁化方向。通过施加强磁场，作为软磁性层的下屏蔽层12和上屏蔽层14分别具有单个磁畴。此外，在完成磁化处理之后，它们具有图11A至11C所示的畴设置。

图11A至11C所示的畴设置称为回流畴结构，在各个回流畴结构中屏蔽层能够进行有效屏蔽。图11A和11B表示四畴结构的示例；图11C表示七畴结构的示例。在这些示例中，磁头具有足够的磁屏蔽特性。在四畴结构的情况下，下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为矩形，因此图11A所示的顺时针畴结构和图11B所示的逆时针畴结构的形成概率相同。

在图11A至11C所示的畴结构中，屏蔽功能有效地作用。读元件10容易受来自下屏蔽层12和上屏蔽层14的漏磁场的影响，在磁畴的磁壁处容易产生来自屏蔽层的漏磁场。如图11A至11C所示，读元件10与磁壁分离，因此，即使磁壁移动，也可以保护读元件10免受漏磁场的影响。因此，图11A至11C所示的磁畴结构是有效的。当生产磁头时，调整屏蔽层的厚度、形状和成分，从而形成回流磁畴结构而不形成其中通过磁化处理而将磁畴设置在纵向上的“纵向设置磁畴”。

在生产磁头的过程中，将屏蔽层形成为具有稳定的回流磁畴结构。然而，磁畴的形状由于来自记录介质的磁场、来自磁头的写头的漏磁场、作用到磁头的外部磁场、记录线圈的热量引起的应力等而改变，从而读元件的特性发生变化。由于改变屏蔽层的磁畴的形状，磁壁移动为靠近读元件，从而来自磁壁的漏磁场作为磁噪音不利地影响读元件。

此外，如上所述，使磁化场消失从而定向硬膜的磁化方向。在四畴结构的情况下，顺时针畴结构和逆时针畴结构的形成概率相同。顺时针畴结构中的与读元件对应的磁畴的磁化方向与逆时针畴结构中的与读元件对应的磁畴的磁化方向相反。因此，读元件的输出信号和特性发生变化。

专利文件1    日本特表2004-501478号公报

专利文件2    日本特开平11-31306号公报

专利文件3    日本特开2002-50009号公报

发明内容

构想了本发明以解决上述问题。

本发明的目的是提供一种磁头，其能够稳定读头屏蔽层中的磁畴的设置，防止读元件的特性的变化并改进可靠性。

为了获得该目的，本发明具有以下结构。

即，本发明的磁头包括其中读元件被屏蔽层磁屏蔽的读头，在屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形部分，该台阶形部分对应于由磁化处理之后形成在屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

在所述磁头中，由台阶形部分分区的畴区域的高度可以低于其他畴区域的高度，并且由台阶形部分分区的畴区域的高度可能高于其他畴区域的高度。根据这些结构，可以在已磁化的屏蔽层中按期望设置磁畴。

在所述磁头中，可以在由台阶形部分分区的畴区域中形成与基层分开地形成的台阶图案，所述台阶图案的高度可以低于其他畴区域的高度。此外，可以在由台阶形部分分区的畴区域中形成与基层分开地形成的台阶图案，所述台阶图案的高度可以高于其他畴区域的高度。根据这些结构，也可以在已磁化的屏蔽层中按期望设置磁畴。

另一磁头包括其中读元件被屏蔽层磁屏蔽的读头，在屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形切口，该台阶形切口对应于由磁化处理之后形成在屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

此外，另一磁头包括其中读元件被屏蔽层磁屏蔽的读头，在屏蔽层的表面中形成有台阶形切口，该台阶形切口对应于由磁化处理之后形成在屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

在所述磁头中，由台阶形部分分区的畴区域的高度可以低于其他畴区域的高度，由台阶形部分分区的畴区域的高度可以高于其他畴区域的高度。根据这些结构，可以在已磁化的屏蔽层中按期望设置磁畴。