[发明专利]磁头

权利要求书

1、一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形部分，并且

所述台阶形部分对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

2、根据权利要求1所述的磁头，

其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度低于其他畴区域的高度。

3、根据权利要求1所述的磁头，

其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度高于其他畴区域的高度。

4、根据权利要求1所述的磁头，

其中，在由所述台阶形部分分区的畴区域中形成有与所述基层分开形成的台阶图案，并且

所述台阶图案的高度低于其他畴区域的高度。

5、根据权利要求1所述的磁头，

其中，在由所述台阶形部分分区的畴区域中形成有与所述基层分开形成的台阶图案，并且

所述台阶图案的高度高于其他畴区域的高度。

6、一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形切口，并且

所述台阶形切口对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

7、一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽层的表面中形成有台阶形切口，并且

所述台阶形切口对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

8、根据权利要求7所述的磁头，

其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度低于其他畴区域的高度。

9、根据权利要求7所述的磁头，

其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度高于其他畴区域的高度。

10、根据权利要求1所述的磁头，

其中，在所述屏蔽层中产生的多个磁畴关于所述屏蔽层的高度方向是不对称地设置的，并且

使与所述读元件交叠的磁畴的面积最大。

11、根据权利要求6所述的磁头，

其中，在所述屏蔽层中产生的多个磁畴关于所述屏蔽层的高度方向是不对称地设置的，并且

使与所述读元件交叠的磁畴的面积最大。

12、根据权利要求7所述的磁头，

其中，在所述屏蔽层中产生的多个磁畴关于所述屏蔽层的高度方向是不对称地设置的，并且

使与所述读元件交叠的磁畴的面积最大。