[发明专利]电子元件测试装置无效
申请号: | 200680055827.6 | 申请日: | 2006-09-15 |
公开(公告)号: | CN101512357A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 岛田健一;山下和之 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱德万测试 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 测试 装置 | ||
技术领域
[0001]本发明涉及为将半导体集成电路器件等各种电子元件(以下代表性地称为IC器件)与测试头的接触部电接触来测试IC器件而使用的电子元件测试装置。
背景技术
[0002]在称为处理机(Handler)的电子元件测试装置中,将托盘中收容的大量IC器件搬运到处理机内,并使各IC器件与测试头电接触,在电子元件测试装置本体(以下称为测试机)上进行测试。然后,测试一完成就将各IC器件从测试头退出,并根据测试结果换装托盘,从而进行合格品和不合格品的分类。
[0003]这样的IC器件测试在对IC器件施加了—55℃~150℃左右的热应力的状态下实施,在测试头的上部设有测试箱室。该测试箱室设有热交换器和风扇,经热交换器加热或吸热的空气通过风扇在测试箱室的箱体内循环。
[0004]电子元件测试装置启动时,为了准备IC器件测试,需要在测试箱室内用热交换器和风扇将IC器件测试时所在测定位置的气氛高精度地调整到预定的设定温度。
[0005]但是在该启动时的升温或降温过程中,除了测定位置以外,还需要将测试箱室内存在的全部构造体加热或冷却。特别是,在测试箱室内由风扇产生的空气循环路径中,由于测定位置位于热容量大的构造体的下游侧,有时测定位置的气氛需要很长时间才达到设定温度。
[0006]另外,在可同时测试多个IC器件的电子元件测试装置中设有多个测定位置,在由风扇产生的空气循环路径中多个测定位置会有位于上游侧和位于下游侧的位置。因而,在多个测定位置中会产生温度差,有时难以将各测定位置高精度地升温或降温到目标设定温度。
发明内容
[0007]本发明旨在提供可缩短启动时的起动时间并提高温度施加精度的电子元件测试装置。
[0008]为达成上述目的,根据本发明提供这样的电子元件测试装置:为进行被测电子元件的测试,可通过推进器单元将上述被测电子元件按压到测试头的接触部,该电子元件测试装置具备:将上述推进器单元及上述接触部周围的空间密闭的箱体;可将上述箱体内存在的流体升温或降温的温度调整部件;使上述流体在上述箱体内循环的循环部件;以及将上述流体从上述温度调整部件直接引导到测试时上述被测电子元件所在测定位置的近傍的引导部件,上述循环部件将经由上述引导部件引导到上述测定位置的近傍的上述流体回收(参见权利要求1)。
[0009]本发明中,将经温度调整部件升温或降温的流体直接引导到测定位置的近傍。从而,能够使测定位置比测试箱室内的其他构造体优先地升温或降温,因此能够缩短电子元件测试装置的起动时间。
[0010]另外,通过将流体直接引导到各测定位置的近傍,能够降低多个测定位置之间的温度差,因此能够提高温度施加精度。
[0011]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述推进器单元具有用于从上述流体吸热或向上述流体放热的吸放热体,设在上述测定位置的近傍,上述引导部件将上述流体从上述循环部件直接引导到上述吸放热体(参见权利要求2)。
[0012]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述引导部件具有将上述流体从上述温度调整部件导引到上述测定位置的近傍的导管,上述导管设在上述测试箱室内(参见权利要求3)。
[0013]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述导管具有在上述温度调整部件的近傍开口的入口和在上述测定位置的近傍开口的出口(参见权利要求4)。
[0014]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述电子元件测试装置设有多个上述推进器单元,上述各推进器单元具有从上述流体吸热或对其放热的吸放热体,上述导管具有分别向上述各推进器单元的上述吸放热体的近傍开口的多个上述出口(参见权利要求5)。
[0015]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:还设有将经由上述出口流出的上述流体,对上述多个吸放热体基本均等地分配的分配部件(参见权利要求6)。
[0016]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述分配部件包含在上述出口的周围设置的挡板,用以调整从上述出口流出的上述流体的流量(参见权利要求7)。
[0017]对于上述发明并无特别限定,但最好这样:上述电子元件测试装置还设有测定上述流体温度的温度测定部件,在由上述循环部件导致循环的上述流体的循环路中,上述温度测定部件设在上述导管出口的下游侧近傍或在上述测定位置的下游侧近傍(参见权利要求8)。
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