[发明专利]包括钝化层的变阻器的制造无效

专利信息
申请号: 200680055631.7 申请日: 2006-09-19
公开(公告)号: CN101506912A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: A·霍珀;J·柯利;D·麦克洛克林 申请(专利权)人: 力特保险丝爱尔兰发展有限公司
主分类号: H01C1/02 分类号: H01C1/02;H01C7/10;H01C7/112
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 邬少俊
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 爱尔兰;IE
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摘要:
搜索关键词: 包括 钝化 变阻器 制造
【权利要求书】:

1.一种制造电-陶瓷部件的方法,该电-陶瓷部件包括电-陶瓷主体和导电端子,所述方法包括以下步骤:提供(10)电-陶瓷主体;将端子材料施加(11)到所述主体上;施加钝化材料;进行焙烧以使所述端子材料固化,从而提供端子;以及对所述端子进行电镀(15),其特征在于,

在第一阶段中在施加所述钝化材料之前对所述部件进行焙烧(12),以获得具有足够强度的多孔端子材料,从而便于随后的处理,

在所述第一阶段的焙烧之后,将所述钝化材料施加(13)到所述多孔端子材料和所述主体上,以及

在施加所述钝化材料之后,接下来在第二阶段中对所述部件进行焙烧(14),所述第二阶段的焙烧的参数使得至少一些覆盖于所述端子上的钝化材料扩散到所述多孔端子材料中,同时使所述主体上的钝化材料基本保持原样。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述端子材料包括Ag、玻璃粉和载体。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述端子材料还包括烧结抑制剂,以有助于在所述第一阶段的焙烧过程中控制所述端子材料的孔隙度。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述烧结抑制剂的熔点大于所述端子材料的主要组分的熔点。

5.根据权利要求3或4所述的方法,其中所述烧结抑制剂包括Pt。

6.根据权利要求5所述的方法,其中存在的Pt的浓度是0.1wt%到4wt%。

7.根据权利要求6所述的方法,其中Pt浓度为1.5wt%。

8.根据权利要求3或4所述的方法,其中所述烧结抑制剂包括氧化铝。

9.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其中所述钝化材料包括玻璃、粘合剂和水。

10.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其中通过喷射施加所述钝化材料。

11.根据权利要求10所述的方法,其中在加热的气流中进行所述喷射。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一阶段的焙烧的稳定温度在420℃到510℃的范围内。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一阶段的焙烧的稳定温度在480℃到490℃的范围内。

14.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一阶段的焙烧的持续时间为15分钟到40分钟。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一阶段的焙烧的持续时间为20分钟到30分钟。

16.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二阶段的焙烧的稳定温度在630℃到710℃的范围内。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第二阶段的焙烧的稳定温度为650℃到670℃。

18.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二阶段的焙烧的持续时间在5分钟到35分钟的范围内。

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述第二阶段的焙烧的持续时间在5分钟到15分钟的范围内。

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