[发明专利]一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管，包含基片，半导体层，金属氧化物半导体栅介电质，阻障层，金属氧化物半导体栅，以及内连线材质；

上述金属氧化物半导体栅介电质、上述阻障层与上述内连线材质依从下至上的顺序排列；上述阻障层存在于上述金属氧化物半导体栅介电质同上述内连线材质的夹层中；上述半导体层与上述内连线材质在肖特基二极管的连接区域直接接触，中间不存在阻障层；

上述金属氧化物半导体栅与上述内连线材质相接触。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征是上述阻障层还存在于上述金属氧化物半导体栅同上述内连线材质的夹层中。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征是上述金属氧化物半导体栅中，存在不对称的间隔层结构。

4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征是上述半导体层包括高浓度掺杂质和低浓度掺杂质。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征是上述金属氧化物半导体栅中，其底部半导体层中的高浓度掺杂质与浅槽隔离结构相接触。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征是上述肖特基二极管还包含接触窗，位于上述金属氧化物半导体栅介电质内部。

7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其特征是上述亚微米集成电路采用金属钨栓塞接触窗或化学机械抛光工艺生产。

8.一种如权利要求1所述的应用于亚微米集成电路的肖特基二极管的制造方法，其特征是至少包含下列步骤：

第一步：在上述基片上限定和打开肖特基二极管连接区域；

第二步：在上述基片上沉积阻障层；

第三步：去除上述基片上肖特基二极管连接区域的阻障层；

第四步：在上述基片上沉积内连接材质；

第五步：对上述基片进行连接，限定和蚀刻操作，形成肖特基二极管。