[发明专利]芳胺聚合物有效

专利信息
申请号: 200680053212.X 申请日: 2006-12-18
公开(公告)号: CN101384639A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: A·斯托伊德尔;J·皮洛;N·帕特尔;M·麦基尔南;S·海登海恩;N·康韦 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司;CDT牛津有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C08G73/02;C07C209/88;C07C211/56;C07C211/59;H01L51/50;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 聚合物
【说明书】:

技术领域

发明涉及芳胺聚合物及其制备方法。本发明还涉及含有胺聚合 物的有机电子器件,例如发光器件(LED)及其制备方法。

背景技术

有机LED典型地包括位于电极之间的一种或更多种半导体聚合物 层。半导体聚合物的特征在于主链和/或侧链内部分或显著共轭。

半导体聚合物现在常常用于聚合物发光器件(“PLED”)中,正如 WO 90/13148所公开的。

典型的LED包括阳极、阴极承载在其上的基底和位于阳极与阴极 之间且包括至少一种发光材料的有机发光层。在操作中,空穴通过阳 极注入到器件内,和电子通过阴极注入到器件内。空穴和电子在有机 发光层内结合,形成激子,激子然后经历辐射衰变发光。可在LED内 存在其他层。例如,可在阳极和有机发光层之间提供传导有机空穴注 入材料的层,例如聚(乙烯二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(PEDT/PSS), 辅助空穴从阳极注入到有机发光层中。此外,可在阳极(或若存在的话, 空穴注入层)和有机发光层之间提供半导有机空穴传输材料层,辅助空 穴传输到有机发光层中。

一般地,希望在前述有机器件中所使用的一种或多种聚合物可溶 于共同的有机溶剂中,以便于其在器件制造过程中沉积。许多这种聚 合物是已知的。这一溶解度的关键优点之一是,可通过溶液加工,例 如通过旋转流延(spin-casting)、喷墨印刷、筛网印刷、浸涂、辊印 等,制造聚合物层。在例如现代材料(Adv.Mater.)2000 12(23)1737 -1750中公开了这种聚合物的实例且包括由芳族或杂芳族单元,例如 芴、茚并芴、亚苯基、亚芳基亚乙烯基、噁唑、喹喔啉、苯并噻二唑、 噁二唑、噻吩和具有增溶基团的芳胺形成的具有至少部分共轭主链的 聚合物,以及具有非共轭主链的聚合物,例如聚(乙烯基咔唑)。聚亚 芳基,例如聚芴具有良好的成膜性能且可通过铃木(Suzuki)或山本 (Yamatomo)聚合容易地形成,这使得能高度控制所得聚合物的区域 规整度。

在一些器件中,可希望在单一基底表面上流延不同材料(典型地聚 合物)的多层,即层压体。例如,这可实现独立的功能,例如电子或空 穴电荷传输、发光控制、光子局限、激子局限、光诱导的电荷生成和 电荷阻挡或储存的优化。

关于这一点,可用于能制造多层材料(例如聚合物),以便例如在 整个器件上控制电和光性能。这对于最佳的器件性能来说可能是有用 的。可例如通过仔细设计电子和空穴传输的能级补偿(level offset)、 光折射指数的错配,和界面上的能隙错配,实现最佳的器件性能。这 种非均相结构(heteros tructure)可例如促进一种载流子注入但阻挡 相反的载流子提取和/或防止激子扩散到猝灭界面上。于是,这种非均 相结构可提供有用的载流子和光子局限效果。

WO 99/54385公开了在电致发光器件中使用的含芴和胺基的共聚 物。公开了式II、III和IV的胺基:

含胺的小分子也是LED领域和之外的领域中已知的,例如 JP 2004210785、JP 2003248331、JP 2002241352、WO 2000/027946、 JP 11185967、JP 10302960、JP 10095787、JP 09268284、JP 07301926、 JP 06110228、JP 06104467、EP 506492、JP 04225363、JP 03094260、 JP 03094259、JP 03094258、Journal of the Chemical Society,Perkin Transactions  2:Physical  Organic  Chemistry(1997),(7), 1405-1414和Chemical Communications(1996),(23),264-2642。根 据“Approach to molecularde sign of charge transport materials by molecular orbital calculation(通过分子轨道计算,分子设计 电荷传输材料的方法)”,IS&T`s Int.Congr.Adv.Non-Impact printing Technol.,Final Program Proc.,8th(1992),261-3,胺小 分子也是已知的。

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