[发明专利]等离子体加工装置和等离子体加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于制造半导体薄膜的等离子体加工装置以及使用该等离子体加工装置来进行等离子体加工的方法，更特别地，涉及一种使用向其中引入反应气体的反应室的等离子体加工装置以及使用该等离子体加工装置来进行等离子体加工的方法。

背景技术

常规地，作为前述类型的等离子体加工装置，已知一种能够改善等离子体化学技术中的蚀刻或气相沉积工艺的均匀性的装置(例如，参看专利文献1)。

专利文献1：美国专利NO.4264393的说明书。

用于制造半导体薄膜的等离子体CVD装置通常设置有成对设置和支撑的阴极和阳极、用于向每个都具有平板形状的阴极和阳极中的一个施加高频电源的装置、以及用于供应形成薄膜的反应气体的装置。在等离子体CVD装置中，等离子体以这样的方式产生，当在阴极和阳极之间供应反应气体时施加高频电源。结果，在设置于阴极和阳极之间的基板的表面上产生薄膜。

阴极和阳极之间的距离称作电极间距离。电极间距离包括能有效地产生等离子体的特定范围。在该范围内，控制电极间距离，并且希望尽可能精确地控制该距离。通常电极间距离以相对于电极间距离的1/100的量级的精度被控制，换言之，该精度为电极间距离的大约1％。在控制电极间距离的方法中，作为电极的阴极和阳极相对于它们的尺寸保证足够水平的刚度，从而在所设置的阴极和阳极中不产生任何挠曲(deflection)。

发明内容

本发明要解决的问题

然而，常规技术的问题是，在电极较大而基板的尺寸也相应增大的情况中，没有获得电极的足够的刚度，这就不能保证电极间距离的期望的精度。结果，在等离子体加工中膜不能以良好的方式形成。为了保证电极间距离的期望的精度，可以进一步增大电极的刚度，但是在这种情况下，随着电极厚度的增加以及电极支撑部分的尺寸的相应增加，等离子体CVD装置的尺寸不可避免地会增大。

因此，本发明的主要目的是提供一种等离子体加工装置，该等离子体加工装置在电极面积增大的情况下，不论在具有平板形状的阳极和阴极中产生任何挠曲都能够以良好的方式形成膜。

解决该问题的方法

根据本发明的一个方面，提供一种等离子体加工装置，包括反应室、用于将反应气体引入反应室的气体引入部、用于将反应气体从反应室排出的排气单元、支撑于反应室中并具有平板形状的第一电极和第二电极、以及用于支撑第一电极和第二电极以使电极彼此面对的第一支撑构件和第二支撑构件，其中在第一电极和第二电极由第一支撑构件和第二支撑构件支撑的状态下，第一电极和第二电极的最大挠曲量，即在第一电极和第二电极自身重量下它们的最大下沉距离，被调整至彼此相等。

本发明的效果

用根据本发明的等离子体加工装置，在电极面积增大的情况下，不论在具有平板形状的第一电极和第二电极中产生任何挠曲，都可以以简单的结构获得均匀地形成于具有大面积的基板表面上的半导体薄膜。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的等离子体加工装置(薄膜制造装置)全部结构的图示。

图2是根据本发明第二实施例的等离子体加工装置(薄膜制造装置)全部结构的图示。

附图标记说明

1...基板

2...簇射板

3...背板

4...阳极电极

5...第二支撑构件

6...第一支撑构件

7...托盘

8...门部

9...主体部

10...等离子体激发电源

11...阻抗匹配装置

12...阴极电极

20...排气管

21...真空泵

22...压力控制器

23...反应气体管

24...加热器

25...热电偶

26...接地线

27...电源引入端子

28...气体引入部

29...排气单元

30...高频电源单元

具体实施方式