[发明专利]等离子体加工装置和等离子体加工方法

权利要求书

1.一种等离子体加工装置，包括：

反应室；

气体引入部，将反应气体引入所述反应室；

排气单元，将所述反应气体从所述反应室排出；

第一电极和第二电极，支撑于所述反应室中并具有平板形状；以及

第一支撑构件和第二支撑构件，支撑所述第一电极和第二电极以使所述第一电极和第二电极彼此面对，其中

在所述第一电极和第二电极由所述第一支撑构件和第二支撑构件支撑的状态下，所述第一电极和第二电极的最大挠曲量，即在它们的自身重量下的最大下沉距离调整为彼此相等。

2.如权利要求1所述的等离子体加工装置，其中所述第一电极和第二电极的形状、尺寸和材料调整为相同。

3.如权利要求1或2所述的等离子体加工装置，其中所述第一电极和第二电极具有中空结构。

4.如权利要求1或2所述的等离子体加工装置，其中所述第一电极和第二电极被支撑以在有限范围内是可移动的。

5.如权利要求2所述的等离子体加工装置，其中用于所述第一电极和第二电极的材料是铝合金。

6.如权利要求1或2所述的等离子体加工装置，其中所述第一电极和第二电极经受退火工艺。

7.如权利要求1或2所述的等离子体加工装置，其中

所述第一电极和第二电极相互间隔预定的电极间距离，

所述第一电极和第二电极的尺寸、形状和材料调整成使所述第一电极和第二电极的最大挠曲量为所述电极间距离的至少1％。

8.如权利要求1所述的等离子体加工装置，其中

要处理的基板在所述基板沿所述两个电极的挠曲而被挠曲的状态下设置在所述第一电极和第二电极之间。

9.如权利要求8所述的等离子体加工装置，还包括具有薄板形状且其上放置所述基板的托盘。

10.一种等离子体加工方法，其中使用如权利要求1到7中任一项所述的等离子体加工装置，以及

要加工的基板沿所述第一电极和第二电极的挠曲而被挠曲并设置在所述两个电极之间，从而在所述基板的表面上形成半导体薄膜。

11.如权利要求10所述的等离子体加工方法，其中

所述要加工的基板是玻璃基板，该玻璃基板设置在所述第一电极和第二电极之一上。