[发明专利]密集存储器阵列的过渡区

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2005年11月25日提交的美国临时专利申请No.60/739,426、2006年5月15日提交的美国临时专利申请No.60/800,022以及2006年5月15日提交的美国临时专利申请No.60/800,021的权益，在此将它们全文并入作为参考。

技术领域

本发明通常涉及超密集非易失性存储器阵列，更为具体地，涉及它们到外围的连接。

背景技术

2位存储器单元在本领域是公知的。一个此种存储器单元是NROM(氮化物只读存储器)单元10，如图1A所示。参照图1A，该NROM单元10在夹在多晶硅字线18和沟道20之间的基于氮化物的层16(比如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆栈)上存储两个位12和14。沟道20由每侧上的掩埋位线扩散区22限定，该掩埋位线扩散区22通过热生长或淀积氧化物层26与位线18绝缘，该生长或淀积氧化物层26是在植入位线22之后生长或淀积的。在热驱动期间，位线22可以从一边扩散，由此从植入区扩展。

双多晶硅工艺(DPP)可以用来产生NROM单元。参见图1B，图1B示出了此种单元。在基于氮化物的层16上淀积第一多晶硅层，并在其间植入位线22的列19中对第一多晶硅层进行蚀刻。随后，淀积字线18作为第二多晶硅层，从而将第一多晶硅层的列19切割为位线22之间的岛。在产生第二多晶硅层之前，在多晶硅列19之间淀积位线氧化物26，而不是如先前所进行的那样生长出位线氧化物26。

在许多专利中描述了NROM单元，例如，在转让给本发明的共同受让人的美国专利6,649,972。在可适用的情况下，包括NROM的描述特别意在包括相关氧化物-氮化物技术，其包括SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)、MNOS(金属-氮化物-氧化物-硅)、MONOS(金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅)和用于NVM器件的其他类似物。可以在赛芬(Saifun)半导体2005年出版的“Non Volatile Memory Technology”、在或者通过http://siliconnexus.com呈现的材料中、在http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt_symp/nvmts_2000/presentations/bu_white_sonos_lehigh_univ.pdf上找到的“Design Considerations inScaled SONOS Nonvolatile Memory Devices”、在http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt_symp/nvmts_2000/paapers/adams_d.pdf上找到的“SONOS Nonvolatile Semiconductor Memories for Spaceand Military Applications”、在http://research.philips.com/technologies/ics/nvmemories/index.html上找到的“Philips Research-Technologies-Embedded Nonvolatile Memories”以及在http://ece.nus.edu.sg/stfpage/elezhucx/myweb/NVM.pdf上找到的“Semiconductor Memory：Non-Volatile Memory(NVM)”，所有这些在这里全文引入，作为参考。

简单地参考图2，如图2中所示，NROM技术使用虚拟地阵列体系结构，其中字线18和位线22成密集十字形交叉。字线18和位线22最佳可以允许4F²大小的单元，其中F表示其中构建阵列的技术的芯片的元件的最小特征尺寸。例如，65nm技术的特征尺寸为F＝65nm。

美国专利申请11/489,327和11/489,747描述了一种新的体系结构和制造过程，其用于生成具有非常密集间隔的字线的非常密集阵列。在该阵列中，单元的尺寸小于4F²。单元的最小理论尺寸是2F²。

发明内容

本发明的一个目的在于对现有技术作出改进。