[发明专利]密集存储器阵列的过渡区

权利要求书

1. 一种非易失性存储器芯片，包括：

以亚F(低于最小特征尺寸F)的宽度间隔开的字线；以及

至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少之一中的相邻所述延伸部分以至少F的距离间隔开。

2. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述过渡区位于所述字线的阵列的不同侧上。

3. 如权利要求2所述的芯片，其中，所述阵列是NROM(氮化物只读存储器)阵列。

4. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分通过利用电介质填充物彼此绝缘。

5. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分与外围晶体管相连。

6. 如权利要求4所述的芯片，其中，所述电介质填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。

7. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述字线和所述延伸部分由下述导电材料中至少之一形成：钨、自对准硅化物和硅化物。

8. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述字线和所述延伸部分由多晶硅形成。

9. 如权利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分与所述字线集成在一起。

10. 一种非易失性存储器芯片，包括：

密集封装阵列，其中相邻字线之间的间隔小于所述字线中之一的宽度的一半；

松散封装外围；以及

至少两个过渡区，其将所述密集封装阵列的字线与所述松散封装外围相连，其中每个过渡区仅仅连接所述字线的一部分。

11. 如权利要求10所述的芯片，其中，每个所述部分是每个其它字线。

12. 如权利要求11所述的芯片，其中，所述每个其它字线的延伸部分与所述字线集成在一起。

13. 如权利要求10所述的芯片，其中，所述过渡区位于所述字线的阵列的不同侧上。

14. 如权利要求13所述的芯片，其中，所述阵列是NROM(氮化物只读存储器)阵列。

15. 如权利要求10所述的芯片，其中，所述延伸部分通过利用电介质填充物彼此绝缘。

16. 如权利要求15所述的芯片，其中，所述电介质填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。

17. 如权利要求10所述的芯片，其中，所述字线和所述延伸部分由下述导电材料中至少之一形成：钨、自对准硅化物和硅化物。

18. 如权利要求10所述的芯片，其中，所述字线和所述延伸部分由多晶硅形成。

19. 一种用于对非易失性存储器芯片进行字线图案化的方法，包括：

根据其宽度至少为最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在过渡区中具有延伸部分的亚F字线，所述延伸部分用于连接到外围晶体管。

20. 如权利要求19所述的方法，其中，所述生成包括：

根据所述掩膜生成的元件，生成第一组行；以及

根据所述第一组行来生成第二组行，所述第二组行被交替插入在所述第一组行中。

21. 如权利要求20所述的方法，其中，所述第一生成包括：

产生氮化物硬掩膜行，其中，每行的宽度大于1F；

在所述行之间淀积字线材料；

蚀刻第一过渡区中的所述字线材料；

蚀刻第二过渡区中的所述行；以及

将氧化物淀积到所述蚀刻区域中。

22. 如权利要求21所述的方法，其中，所述第二生成包括：

蚀刻所述氮化物硬掩膜；

取代所述氮化物行，淀积氮化物间隔物；以及

在所述间隔物之间淀积字线材料。

23. 如权利要求21所述的方法，其中，所述第二过渡区通常位于所述字线的与所述第一过渡区相对的侧上。

24. 一种非易失性存储器芯片，包括：

存储器阵列中的字线，其中相邻字线之间的间隔小于所述字线中之一的宽度的一半；以及

至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少一个中的相邻所述延伸部分以大于一个字线宽度的距离间隔开。