[发明专利]垂直发射的、被光泵浦的、在单独的衬底上具有外部谐振器和频率倍增器的半导体

权利要求书

1.一种可光泵浦的半导体装置，其具有：

-表面发射的半导体本体(1)，该表面发射的半导体本体具有辐射穿 透面(1a)，该辐射穿透面背离该半导体本体(1)的安装平面，

-半导体激光器件，该半导体激光器件设计为泵浦辐射源(2)，以及

-光学元件(7)，该光学元件适于将泵浦辐射(17)偏转到半导体本 体(1)的辐射穿透面(1a)上，其中

-半导体本体(1)设置在泵浦辐射源(2)与光学元件(7)之间的 安装平面中，以及

-在半导体装置工作中，在泵浦辐射射到辐射穿透面(1a)之前，泵 浦辐射(17)越过半导体本体(1)的辐射穿透面(1a)走向。

2.根据权利要求1所述的可光泵浦的半导体装置，其中泵浦辐射源 (2)设置在平行于半导体本体(1)的安装平面的平面中。

3.根据权利要求1或2所述的可光泵浦的半导体装置，其中半导体 本体(1)、光学元件(7)和泵浦辐射源(2)设置在共同的第一支承体(14) 上。

4.根据权利要求3所述的可光泵浦的半导体装置，其中第一支承体 (14)由连接支承体构成，在该连接支承体上电连接有泵浦辐射源(2)。

5.根据权利要求1或2所述的可光泵浦的半导体装置，其中光学元 件(7)适于将泵浦辐射(17)通过光学折射偏转到半导体本体(1)的辐 射穿透面(1a)上。

6.根据权利要求1或2所述的可光泵浦的半导体装置，其中光学元 件(7)适于将泵浦辐射(17)通过反射偏转到辐射穿透面(1a)上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中泵浦辐射(17)通过一 次反射偏转到辐射穿透面(1a)上。

8.根据权利要求1或2所述的可光泵浦的半导体装置，其中光学元 件(7)适于将泵浦辐射(17)朝着半导体本体(1)的安装平面的方向偏 转。

9.根据权利要求1或2所述的可光泵浦的半导体装置，该半导体装 置具有谐振器附件(40)，该谐振器附件在半导体本体的主辐射方向上设 置在半导体本体(1)的安装平面之后。

10.根据权利要求3所述的可光泵浦的半导体装置，该半导体装置具 有谐振器附件(40)，该谐振器附件在半导体本体的主辐射方向上设置在 半导体本体(1)的安装平面之后。

11.根据权利要求9所述的可光泵浦的半导体装置，其中谐振器附件 (40)包括第二支承体(34)，在该第二支承体上固定有谐振腔反射器(31)。

12.根据权利要求9所述的可光泵浦的半导体装置，其中谐振器附件 (40)借助间隔元件(8，4，7)与半导体本体(1)的安装平面间隔。

13.根据权利要求12所述的可光泵浦的半导体装置，其中间隔元件 (4，7)包括光学元件。

14.根据权利要求12所述的可光泵浦的半导体装置，其中间隔元件(4， 7)由光学元件构成。

15.根据权利要求9所述的可光泵浦的半导体装置，其中谐振器附件 (40)包括频率转换元件(32)。

16.根据权利要求9所述的可光泵浦的半导体装置，其中谐振器附件 (40)包括加热元件(60)，该加热元件导热地与频率转换元件(32)相 连。

17.根据权利要求11所述的可光泵浦的半导体装置，其中第二支承 体包括金属涂层(60)，借助金属涂层可以提高和确定谐振器附件(40) 的温度。

18.根据权利要求17所述的可光泵浦的半导体装置，其中金属涂层 (60)由曲折形铂涂层构成，该铂涂层能够借助接触部(61)电接触。

19.根据权利要求10所述的可光泵浦的半导体装置，其中谐振器附 件(40)导电地与第一支承体(14)相连。