[发明专利]激光加工方法及半导体芯片

说明书

技术领域

本发明涉及，对于具有基板、和形成在基板表面上的多个功能元 件的加工对象物，沿着切断预定线进行切断时使用的激光加工方法， 以及利用该激光加工方法而切断的半导体芯片。

背景技术

作为以往的上述技术的激光加工方法，公知有在晶片状的加工对 象物内部对准聚光点并照射激光，在加工对象物内部形成多列沿着切 断预定线的改质区域，并以该改质区域作为切断起点(参照例如专利 文献1)。

专利文献1：特开2002-205180号公报

发明内容

上述激光加工方法在加工对象物厚时特别有效。这是因为，即使 在加工对象物厚时，也可通过增加沿着切断预定线的改质区域的列数， 以良好精度沿着切断预定线对加工对象物进行切断。关于上述技术， 希望在维持切断质量的条件下缩短加工时间。

本发明有鉴于此，目的在于提供一种对具有基板、和形成在基板 表面上的多个功能元件的加工对象物，即使在厚基板情况下，也可沿 着切断预定线在短时间内以良好精度进行切断的激光加工方法，及通 过使用该激光加工方法而切断的半导体芯片。

为达到上述目的，本发明的激光加工方法，在具有基板、和形成 在基板的表面上的多个功能元件的加工对象物的基板内部对准聚光 点，并照射激光，而沿着加工对象物的切断预定线，在基板的内部形 成成为切断起点的改质区域，其特征在于：包括，对于1条切断预定 线形成，至少1列第1改质区域，位于第1改质区域和基板表面之间 的至少1列第2改质区域，及位于第1改质区域和基板背面之间的至 少1列第3改质区域的工序；在沿着切断预定线的方向上的第1改质 区域的形成密度，低于在沿着切断预定线的方向上的第2改质区域的 形成密度和第3改质区域的形成密度。

在该激光加工方法中，使沿着切断预定线的方向上的第1改质区 域的形成密度，比沿着切断预定线的方向上的第2改质区域的形成密 度和第3改质区域的形成密度低。因此，与使第1改质区域的形成密 度与第2改质区域的形成密度和第3改质区域的形成密度的情况相比， 可使第1、第2、第3改质区域的形成时间缩短。但是，位于第1改质 区域与基板表面的间的第2改质区域，和位于第1改质区域与基板背 面之间的第3改质区域，与第1改质区域相比，对加工对象物的切断 品质有较大影响。但是，由于使沿着切断预定线的方向上的第2改质 区域的形成密度和第3改质区域的形成密度，比沿着切断预定线的方 向上的第1改质区域的形成密度高，因此，可防止加工对象物的切断 品质的劣化。由此，该激光加工方法，在具有基板、和形成在基板表 面的多个功能元件的加工对象物，即使该基板厚的情况下，也可沿着 切断预定线在短时间以良好精度进行切断。

在此，所谓功能元件是指，例如通过结晶成长形成的半导体动作 层、光电二极管等受光元件、激光二极管等的发光元件、作为电路而 形成的电路元件等。另外，沿着切断预定线的方向上的改质区域的形 成密度(以下称为「改质区域的形成密度」)是指，沿着切断预定线的 方向上的单位长度内所分布的改质区域的比例。

而且，第1、第2、第3改质区域的各个的形成顺序不同。

而且，第1、第2、第3改质区域，是通过在基板内部对准聚光点 并照射激光，而在基板内部产生多光子吸收或其它的光吸收而形成的。

另外，在上述激光加工方法优选，在以基板的背面作为激光射入 面，而在基板内部对准聚光点并照射激光时，以使第2改质区域的表 面侧端部与基板的表面的距离为5μm～20μm的方式，形成第2改质区 域。由此，在形成第2改质区域时，即使在基板表面的切断预定线上 形成有叠层部，也可将该叠层部和基板同时沿着切断预定线精度良好 地切断。

另外，在上述激光加工方法中优选，以从第3改质区域向基板的 背面产生沿着切断预定线的破裂的方式，形成第3改质区域。在如上 形成第3改质区域时，例如将扩展带粘贴在基板背面并进行扩展时， 从第3改质区域向基板背面产生的破裂，可经由第1、第2改质区域向 基板表面顺利地行进。结果，加工对象物可沿着切断预定线精度良好 地切断。

另外，在上述激光加工方法中，存在基板为半导体基板，第1、第 2、第3改质区域包含熔融处理区域的情况。在基板为半导体基板时， 作为第1、第2、第3改质区域，存在形成包含熔融处理区域的改质区 域的情况。