[发明专利]激光加工方法及半导体芯片

权利要求书

1.一种激光加工方法，在具有基板、和形成在所述基板的表面上的 多个功能元件的加工对象物的所述基板的内部对准聚光点，并照射激 光，而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述基板的内部形成成 为切断起点的改质区域，其特征在于：

包括，对于1条所述切断预定线形成，至少1列第1改质区域， 位于所述第1改质区域和所述基板的表面之间的至少1列第2改质区 域，及位于所述第1改质区域和所述基板的背面之间的至少1列第3 改质区域的工序；

在沿着所述切断预定线的方向上的所述第1改质区域的形成密度， 低于在沿着所述切断预定线的方向上的所述第2改质区域的形成密度 和所述第3改质区域的形成密度。

2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

在以所述基板的背面作为激光射入面，而在所述基板的内部对准 聚光点并照射激光时，以使所述第2改质区域的表面侧端部与所述基 板的表面的距离为5μm～20μm的方式，形成所述第2改质区域。

3.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于：

以从所述第3改质区域向所述基板的背面产生沿着所述切断预定 线的破裂的方式，形成所述第3改质区域。

4.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

在以所述基板的表面作为激光射入面，而在所述基板的内部对准 聚光点并照射激光时，以使所述第2改质区域的表面侧端部与所述基 板的表面的距离为30μm～80μm的方式，形成所述第2改质区域。

5.如权利要求4所述的激光加工方法，其特征在于：

以从所述第2改质区域向所述基板的表面产生沿着所述切断预定 线的破裂的方式，形成所述第2改质区域。

6.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

所述基板为半导体基板，所述第1、所述第2及所述第3改质区域 包含熔融处理区域。

7.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

还包括：沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断为每个功能 元件的工序。

8.一种激光加工方法，在具有基板、和形成在所述基板的表面上的 多个功能元件的加工对象物的所述基板的内部对准聚光点，并照射激 光，而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述基板的内部形成成 为切断起点的改质区域，其特征在于：

包括，对于1条所述切断预定线形成，至少1列第1改质区域， 位于所述第1改质区域和所述基板的表面之间的至少1列第2改质区 域，及位于所述第1改质区域和所述基板的背面之间的至少1列第3 改质区域的工序；

形成所述第1改质区域时沿着所述切断预定线使激光相对所述加 工对象物移动的速度，大于形成所述第2改质区域时和形成所述第3 改质区域时沿着所述切断预定线使激光相对所述加工对象物移动的速 度。

9.一种激光加工方法，在具有基板、和形成在所述基板的表面上的 多个功能元件的加工对象物的所述基板的内部对准聚光点，并照射激 光，而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述基板的内部形成成 为切断起点的改质区域，其特征在于：

包括，对于1条所述切断预定线形成至少3列改质区域的工序；

在形成，位于最接近于所述基板的表面的改质区域和最接近于所 述基板的背面的改质区域之间的改质区域中的至少1列改质区域时， 沿着所述切断预定线使激光相对所述加工对象物移动的速度，大于形 成最接近于所述基板的表面的改质区域时，及形成最接近于所述基板 的背面的改质区域时沿着所述切断预定线使激光相对所述加工对象物 移动的速度。

10.一种半导体芯片，具有基板和形成在所述基板的表面上的功能 元件；其特征在于：

在所述基板的侧面上形成有：在与所述基板的厚度方向垂直的方 向上排列的至少1列第1改质区域，在与所述基板的厚度方向垂直的 方向上排列、且位于所述第1改质区域和所述基板的表面之间的至少1 列第2改质区域，及在与所述基板的厚度方向垂直的方向上排列、且 位于所述第1改质区域和所述基板的背面之间的至少1列第3改质区 域；

在与所述基板的厚度方向垂直的方向上的所述第1改质区域的形 成密度，低于在与所述基板的厚度方向垂直的方向上的所述第2改质 区域的形成密度和所述第3改质区域的形成密度。