[发明专利]用于在模制阵列封装中提供一体式射频屏蔽的方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及电子封装，且更具体而言涉及用于在电子封装中制造电磁屏蔽的方法和系统。

背景技术

用于某些应用中的常规电子仪器会发射可能干扰其它装置的性能的高频率电磁辐射。举例来说，常规微电子射频(RF)装置发射RF辐射。RF辐射可能会不利地影响其它电子组件的性能，所述电子组件例如是结合常规微电子RF装置而使用的某些模制阵列封装(MAP)或其它半导体封装。

为了保护其它常规电子组件免受RF辐射，在常规微电子RF装置与其它常规电子组件之间提供电磁辐射屏蔽。此通常通过用物理屏蔽环绕其它常规电子组件来执行。物理屏蔽通常由导电金属媒介构成。举例来说，可为需要屏蔽的每一常规电子组件提供常规金属罩。在一些常规电子组件中，金属罩可包括通孔，其有助于放置可用作下伏电子装置的保护层的模制化合物。

尽管常规金属屏蔽可减少由RF辐射产生的干扰，但所属领域的技术人员将容易认识到所述常规金属罩制造起来成本较大。通常，所述常规金属屏蔽是为各个常规电子组件定制设计的。另外，定制组合件设备通常用于组装常规金属罩且将常规金属罩附着到所述组件。定制组合件和设计通常是昂贵的。另外，常规金属罩还可能会增加被屏蔽的常规电子组件的大小。常规电子组件的大小的增加可能会导致利用常规电子组件的最终产品的大小增加。通常，所述大小增加是不合需要的。因此，使用常规金属罩可能成本较高且出于其它原因而不合需要。

因此，需要一种用于改进电子组件的屏蔽的方法和系统。本发明处理所述需要。

发明内容

本发明提供用于制造用于电子封装的屏蔽的方法和系统。本发明可应用于各种类型的基于有机和无机衬底的电子封装。典型封装类型是模制阵列封装(MAP)。电子封装包括衬底、至少一个接地特征和保护层。电子封装经由至少所述衬底而物理耦接到至少一个额外电子封装。所述方法和系统包含优选在单片化过程期间暴露至少一个接地特征的一部分。暴露步骤在至少一个接地特征上方形成至少一个沟槽。所述方法和系统还包含沉积金属屏蔽材料，其大体上覆盖电子封装的顶部表面和侧部表面、填充沟槽，且电连接到每一电子封装衬底位点上的至少一个接地特征。

根据本文所揭示的方法和系统，本发明提供一种可能成本较低的一体式RF屏蔽。

附图说明

图1是描绘在电子封装中提供根据本发明的电磁辐射屏蔽的方法的一个实施例的流程图。

图2-7描绘包括根据本发明的电磁辐射屏蔽的一个实施例的半导体封装在制造期间的一个实施例的侧视图。

具体实施方式

本发明涉及利用电磁屏蔽的电子封装。以下描述经呈现以使所属领域的技术人员能够制造和使用本发明，且其是在专利申请案及其要求的上下文中提供的。所属领域的技术人员将易于了解对优选实施例的各种修改和本文描述的一般原理和特征。因此，本发明并不希望限于所展示的实施例，而是符合与本文所述的原理和特征一致的最广泛范围。

本发明提供用于制造用于电子封装的电磁辐射屏蔽的方法和系统。电子封装包括衬底、至少一个接地特征和保护层。电子封装通过至少所述衬底而物理耦接到至少一个额外电子封装。方法和系统包含通过移除电子封装在接地特征上方的部分而暴露至少一个接地特征的一部分。暴露步骤在至少一个接地特征上方形成至少一个沟槽。所述方法和系统还包含沉积电磁辐射屏蔽，其大体上覆盖电子封装、填充至少一个沟槽且电连接到所述至少一个接地特征。所述方法和系统还包含使电子封装与至少一个额外电子封装分离，使得电磁辐射屏蔽的大体上包围电子封装在接地特征上方的部分的剩余部分保留。

将根据特定组件和特定电子封装(例如MAP)来描述本发明。然而，所属领域的技术人员将容易认识到可使用其它和/或额外组件和其它和/或额外电子封装。举例来说，本发明可应用于使用引线框阵列或衬底阵列条带格式的各种类型的电子封装，使得每一条带含有用于封装组合件的多个重复的各个位点。另外，在特定方法的上下文中描述本发明。然而，所属领域的技术人员将容易认识到可使用具有其它和/或额外步骤的其它方法。

图1是描绘在电子封装中提供根据本发明的电磁辐射屏蔽的方法100的一个实施例的流程图。图2-7描绘包括根据本发明的电磁辐射屏蔽的一个实施例的电子封装210(MAP)在制造期间的一个实施例的侧视图。参看图1-7，在MAP 210的上下文中描述方法100。然而，所属领域的技术人员将容易认识到方法100可与其它半导体封装一起使用。另外，所属领域的技术人员将容易认识到以下描述的电磁辐射屏蔽可与其它半导体封装一起使用。