[发明专利]具有应力层的存储单元

权利要求书

1.一种位于衬底上的存储单元，该存储单元包括：

(a)p掺杂衬底；

(b)位于所述p掺杂衬底中的一对间隔分开的n掺杂区域，所述一对间隔分开的n掺 杂区域形成源极和漏极，该n掺杂区域限定出两者之间的沟道；

(c)位于所述沟道上的叠层，该叠层包括(i)隧道氧化物层，(ii)浮栅，(iii)栅 极间电介质，以及(iv)控制栅；

(d)位于所述源极和漏极上的多晶硅层；

(e)覆盖所述叠层的覆盖层，该覆盖层包括间隔垫层和前金属沉积层，并且该覆盖层 具有暴露触点的通孔；以及

(f)围绕n掺杂区域的浅隔离沟槽，该沟槽包括具有至少200MPa的拉伸应力的应力 硅氧化物层，从而在所述存储单元的操作期间，该应力层减少保持在所述浮栅中的电荷的 泄漏。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述应力硅氧化物层包括由正硅酸 乙酯沉积的硅氧化物。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述应力硅氧化物层具有从800MPa 到1GPa的拉伸应力。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述间隔垫层进一步包括具有至少 1.5GPa的拉伸应力的应力硅氮化物。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，进一步包括在控制栅上的硅化物层， 接触所述硅化物层并且具有暴露部分的触点，所述暴露部分贯穿所述覆盖层暴露。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，包括闪存结构。

7.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，包括RAM结构。

8.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，包括DRAM结构。

9.一种在衬底上制造存储单元的方法，该方法包括：

(a)提供p掺杂衬底；

(b)在所述衬底上形成一对间隔分开的n掺杂区域，以形成源极和漏极并限定出两者 之间的沟道；

(c)在所述沟道上形成叠层，该叠层顺序地包括(i)隧道氧化物层，(ii)浮栅，(iii) 栅极间电介质，以及(iv)控制栅；

(d)在所述源极和漏极上形成多晶硅层以及在所述控制栅上形成硅化物层；

(e)形成覆盖所述叠层的覆盖层，该覆盖层包括间隔垫层和前金属沉积层；

(f)形成与所述源极、漏极和硅化物层相接触的多个触点，所述触点具有暴露部分， 所述暴露部分贯穿所述覆盖层暴露；以及

(g)形成围绕n掺杂区域的浅隔离沟槽，该沟槽包括具有至少200MPa的拉伸应力的 应力硅氧化物层，从而该应力层在所述浮栅中产生拉伸应变，在所述存储单元的操作期间 减少保持在所述浮栅中的电荷的泄漏。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤(g)包括利用正硅酸乙酯形成应 力硅氧化物层。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，包括形成包括具有至少1.5GPa的拉伸 应力的应力硅氮化物的间隔垫层。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，包括制造闪存结构。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，包括制造RAM结构。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，包括制造DRAM结构。