[发明专利]测试装置以及测试电路卡

说明书

技术领域

本发明涉及测试装置以及测试电路卡。本发明尤其涉及测试半导体电路等的被测试器件的测试装置，以及该测试装置中使用的测试电路卡。本发明申请与下述日本专利申请相关联。对于认可纳入参照文献的指定国，可参照下述申请中所述的内容，纳入本申请，并作为本申请的一部分。

申请号：专利申请2005-361919，申请日2005年12月15日。

背景技术

作为测试半导体电路等被测试器件的测试装置，已知的有配置了与被测试器件进行信号收发的测试电路卡的装置。测试电路卡设置在测试装置的主体部和被测试器件之间，把测试装置提供的测试信号输入被测试器件，接收被测试器件的输出信号。

图4是现有的测试电路卡300的构成例示图。测试电路卡300具有激励器302、比较器304、FET开关312、传输路径314、以及参照电压输入部316。

激励器302接收测试装置的主体部提供的测试信号，输入被测试器件DUT中。激励器302和被测试器件DUT经FET开关312以及传输路径314彼此连接。激励器302具有电平切换开关306、启用开关308、以及输出电阻310。

比较器304接收被测试器件DUT的输出信号，比较该输出信号的信号电平和被赋予的参照电压。比较器304和被测试器件DUT经FET开关312以及传输路径314彼此连接。此外，参照电压输入部316生成预先规定的参照电压，输入比较器304中。

FET开关312是按照被赋予的栅电压形成接通状态或断开状态的开关，切换是否把激励器302以及比较器304与被测试器件DUT连接。采用此种构成，在测试装置的主体部和被测试器件DUT之间进行信号收发。由于目前尚未发现相关的专利文献等，因而省略其说明。

发明内容

在接通状态下，FET开关312可表现为由串联在激励器302和被测试器件DUT间的电阻，和设置在该电阻两端以及接地电位间的电容构成的等效电路。该等效电路中的RC积固定，不能同时实现低电阻和低电容。

此处，当减少FET开关312的接通电阻的情况下，FET开关312接通时的电容量变大。在此情况下，FET开关312不能通过高频信号。因此，难以进行使用高频信号的测试。

因此，要想进行使用高频信号的测试时，可加大FET开关312的接通电阻。然而，由于比较器304是经FET开关312与被测试器件DUT连接的，因此，比较器304中的电压比较，在激励器启用时，受FET开关312的接通电阻的影响。

例如，输入比较器304中的输出信号的信号电平可被输出电阻310以及FET开关312的接通电阻分压。当加大FET开关312的接通电阻情况下，该接通电阻的离散也变大，比较器304中的电压比较精度下降。

此外，FET开关312的接通电阻因温度、源极·栅极电压、反向栅极电压等而变化。该变化在FET开关312的接通电阻大的情况下变化更大。因此，比较器304中的电压比较精度会变得更差。

因此，在本发明的一个侧面之中，以提供能够解决上述课题的测试装置以及测试电路卡为目的。该目的可通过组合权利要求范围内的独立项中所述的特征加以实现。此外，从属项规定了本发明的更加有利的具体用例。

为了解决上述课题，本发明的第一种方式提供一种测试被测试器件的测试装置，其配置有：激励器，其向被测试器件输出测试信号；第一FET开关，其切换激励器和被测试器件是否连接；比较器，其经第一FET开关接收被测试器件的输出信号，比较输出信号的电压和预先规定的参照电压；参照电压输入部，其把参照电压输入比较器；第二FET开关，其设置在参照电压输入部和比较器之间；虚拟电阻，其一端与比较器及第二FET开关的接点连接，另一端与规定的电位连接；激励器的输出电阻及第一FET开关的接通电阻的电阻比与虚拟电阻及第二FET开关的接通电阻的电阻比大致相等。

激励器、第一FET开关、比较器、第二FET开关、以及虚拟电阻设置在同一基板上。第二FET开关的接通电阻可大于第一FET开关的接通电阻，虚拟电阻可大于激励器的输出电阻。

激励器具有第一启用开关，其切换把激励器的输出端与预先规定的终端电压连接，还是以高阻抗端接，测试装置还可配置第二启用开关，其切换把虚拟电阻与终端电压连接，还是以高阻抗端接。

第二启用开关在第一启用开关把激励器的输出端与终端电压连接的情况下，可把虚拟电阻与终端电压连接，在第一启用开关把激励器的输出端以高阻抗端接的情况下，可把虚拟电阻以高阻抗端接。