[发明专利]具有可重定目标的存储器单元冗余的存储器

权利要求书

1、一种非易失性存储器阵列，其包括：

第一列存储器单元，其含有一有缺陷单元及若干无缺陷单元；

第二列存储器单元，其是仅含有从所述存储器阵列中的其它位置重新定位的数据的冗余列；及

将所述有缺陷单元个别地映射到所述第二列中的冗余单元，从而将待存储在所述有缺陷单元中的数据存储在所述冗余单元中，所述有缺陷单元与所述冗余单元位于相同行中，所述第二列不含有从所述第一列的所述无缺陷单元映射的数据。

2、如权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包括被视为有缺陷且不存储数据的第三列，所述第三列的所有数据均存储在作为冗余列的第四列中。

3、如权利要求2所述的存储器阵列，其中所述第三列因其有缺陷单元的数目超过了阈值数目而被视为有缺陷的。

4、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述有缺陷单元及所述冗余单元位于同一块中且不可单独擦除。

5、如权利要求4所述的存储器阵列，其中所述有缺陷单元到所述冗余单元的所述映射记录在所述存储器阵列的另一块中。

6、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二列含有额外数据，所述额外数据是从除所述第一列以外的列中的有缺陷单元映射的。

7、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述有缺陷单元到所述冗余单元的所述映射记录在所述非易失性存储器阵列的外部。

8、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述有缺陷单元到所述冗余单元的所述映射是使用熔丝或反熔丝永久记录的。

9、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储器阵列具有NAND结构。

10、如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一或第二列的个别单元含有两个或两个以上位的数据。

11、如权利要求1所述的存储器阵列，其中随后在尝试存取所述有缺陷单元时，改为存取所述冗余单元。

12、如权利要求11所述的存储器阵列，其中在尝试存取所述有缺陷单元时，将所述有缺陷单元的行及列两者与缺陷映射进行比较以确定所述有缺陷单元是有缺陷的。

13、如权利要求12所述的存储器阵列，其中由连接到所述存储器阵列的专用状态机将所述行及列与所述缺陷映射进行比较。

14、如权利要求12所述的存储器阵列，其中由也执行其它存储器管理功能的控制器将所述行及列与所述缺陷映射进行比较。

15、一种在新存储器芯片的初始化程序期间测试并修复非易失性存储器阵列的方法，所述非易失性存储器阵列具有一个或一个以上有缺陷单元及一个或一个以上冗余列的冗余单元，所述方法包括：

检测所述存储器阵列中的一个或一个以上有缺陷单元；及

个别地指派冗余列中的取代单元来取代第一列中的有缺陷单元，而不需要为所述第一列的无缺陷单元指派所述冗余列中的任何其它取代单元，所述有缺陷单元与所述取代单元通过字线连接。

16、如权利要求15所述的方法，其进一步包括通过将第二列中有缺陷单元的数目与阈值数目进行比较来确定所述第二列是有缺陷的，及指派整个额外冗余列来取代所述第二列。

17、如权利要求15所述的方法，其进一步包括通过使熔丝或反熔丝发生永久变化来记录所述取代单元的所述指派。

18、如权利要求15所述的方法，其进一步包括在非易失性存储器中记录所述取代单元的所述指派。

19、一种取代非易失性NAND型快闪存储器阵列中的一串存储器单元的方法，一串NAND单元串联连接在两个选择栅极之间，所述方法包括：

确定第一列中的第一串存储器单元为有缺陷串；及

将所述第一串存储器单元映射到冗余列中的第二串存储器单元，而不需要将所述第一列的其它串映射到所述冗余列。

20、如权利要求19所述的方法，其中因为所述第一串存储器单元含有至少一个有缺陷单元而将其确定为有缺陷串。

21、如权利要求19所述的方法，其中因为所述第一串存储器单元仅含有有缺陷单元而将其确定为有缺陷串。