[发明专利]用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料

权利要求书

1.一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助 剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，所述辅助剂在阳离子带 电材料上形成吸附层，其中该辅助剂包含通过下述组分的反应而制备 的聚电解质盐：

(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为 1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及

(b)碱性物质。

2.一种用于CMP(化学机械抛光)浆料的辅助剂，该辅助剂包含通 过下述组分的反应而制备的聚电解质盐：

(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为 1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及

(b)碱性物质。

3.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述直链聚电解质 为含有羧基的化合物。

4.根据权利要求3所述的辅助剂，其中，所述含有羧基的化合物 选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸和马来酸组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述侧链具有相当 于500～2,000分子量的长度，以及所述主链具有相当于500～15,000 分子量的长度。

6.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述接枝型聚电解 质包含：

由烯键式不饱和单体的聚合反应生成的大单元作为侧链，该烯键 式不饱和单体含有选自由羟基、羧基和磺酸基组成的组中的至少一种 官能团；以及

由含羧基的烯键式不饱和单体生成的单元作为主链。

7.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述接枝型聚电解 质在其侧链上包含由下面通式1表示的烷氧基聚亚烷基二醇单(甲基) 丙烯酸酯单体：

[通式1]

其中，R¹为氢原子或甲基；

R²O为C2～C4氧亚烷基或其组合，且当R²O为至少两种C2～C4 氧亚烷基的组合时，R²O无规地或以嵌段的形式加入；

R³为C1～C4烷基；以及

m为氧亚烷基的平均加成摩尔数，并表示1～50的整数。

8.根据权利要求7所述的辅助剂，其中，基于接枝型聚电解质的 重量，所述烷氧基聚亚烷基二醇单(甲基)丙烯酸酯单体以10～50wt％的 量存在。

9.根据权利要求6所述的辅助剂，其中，在所述接枝型聚电解质 的主链上存在、由含有羧基的烯键式不饱和单体生成的单元由甲基丙 烯酸或丙烯酸生成。

10.根据权利要求6所述的辅助剂，其中，基于主链的总重量， 在所述接枝型聚电解质的主链上存在、由含有羧基的烯键式不饱和单 体生成的单元的用量为65～100重量份。

11.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述碱性物质(b) 为氢氧化铵或碱性胺。

12.根据权利要求1或2所述的辅助剂，其中，所述碱性物质(b) 为氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵或 四丁基氢氧化铵。

13.根据权利要求1或2所述的辅助剂，该辅助剂的pH值为4.5～ 8.8。

14.一种CMP(化学机械抛光)浆料，该浆料包含：

(a)如权利要求1或2所限定的辅助剂；

(b)磨粒；和

(c)水。

15.根据权利要求14所述的CMP浆料，基于100wt％的浆料的 总重量，该CMP浆料含有0.1～10wt％的辅助剂；0.1～10wt％的磨粒； 和余量的水。

16.一种STI(浅沟槽隔离)法，该方法采用如权利要求14中所限 定的CMP浆料。