[发明专利]电阻减小的FINFET及其制造方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体器件制造，尤其涉及电阻减小的 finFET及其制造方法。

背景技术

finFET是包括窄鳍片(例如由硅制成的)的晶体管，栅导体或 者位于鳍片的两个相对侧壁上，或者位于鳍片的两个相对侧壁和顶面 上。finFET的总电阻主要由finFET的源极/漏极区中硅化物层与硅 之间的界面面积确定。常规finFET可以包括在finFET的源极/漏极 区中硅的顶面的部分上形成的硅化物。但是，这种finFET因鳍片顶 面处可用的小面积而表现出高电阻，这是不期望的。因此，期望改进 的finFET及其制造方法。

发明内容

在本发明的第一方面，提供制造finFET的第一方法。第一方法 包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少 一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化 物的硅(unsilicided silicon)的内部区域；以及(b)在未形成硅化 物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。

在本发明的第二方面，提供第一装置。第一装置是包括在衬底上 形成的至少一个源极/漏极扩散区的finFET。每个源极/漏极扩散区包 括(1)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(2)在未形成硅化物的 硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。

在本发明的第三方面，提供第一系统。第一系统是衬底，其包括 具有在衬底上形成的至少一个源极/漏极扩散区的finFET。每个源极/ 漏极扩散区包括(1)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(2)在未 形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。根据本发明的 这些和其他方面提供许多其他方面。

本发明的其他特征和方面将从下面的详细描述、附加权利要求以 及附随附图中变得更充分明白。

附图说明

图1A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案形成具有源极/漏极扩散区的主体区以及栅极 区。

图2A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案与主体区和栅极区相邻地形成隔离物。

图3A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案从衬底去除隔离物的一个或多个部分。

图4A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案在源极/漏极扩散区中形成多孔硅。

图5A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案衬底经历第二注入。

图6A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案衬底经历第三注入。

图7A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案在衬底上形成硅化物。

图8A-D是制造finFET的方法的步骤之后衬底的分别顶视、第 一横截面正视、第二横截面正视以及横截面侧视图的框图，其中根据 本发明一种实施方案执行线程后端(BEOL)处理。

图9说明根据本发明一种实施方案制造finFET的方法的工艺流 程。

图10说明工艺流程中根据本发明一种实施方案在源极/漏极扩散 区中形成多孔硅的步骤的子步骤。

具体实施方式