[发明专利]电阻减小的FINFET及其制造方法有效
| 申请号： | 200680044055.6 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101317273A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | J·A·曼德尔曼;程慷果;路易斯·L－C·许;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 减小 finfet 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造finFET的方法，包括：
提供衬底；以及
在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区，其中在衬底 上形成至少一个源极/漏极扩散区包括：
在衬底上形成硅的区域；以及
将该区域中硅的一个或多个部分转化成多孔硅，其中将 该区域中硅的一个或多个部分转化成多孔硅包括：使用不接 触阳极化处理将该区域中硅的一个或多个部分转化成多孔 硅；
其中每个源极/漏极扩散区包括：在源极/漏极扩散区的顶面上 的硅化物部分、未形成硅化物的硅的内部部分和源极/漏极扩散区 的侧壁。
2.根据权利要求1的方法，其中将该区域中硅的一个或多个部 分转化成多孔硅还包括：
将掺杂剂注入到所述源极/漏极扩散区；
使用退火去除先前注入的掺杂剂的部分。
3.根据权利要求1的方法，还包括：使用隔离物将多孔硅与 finFET的栅极区分隔预定的距离。
4.根据权利要求1的方法，其中在衬底上形成至少一个源极/漏 极扩散区还包括：
在衬底上形成一层金属；以及
使该金属至少与多孔硅反应，使得硅化物在硅的区域的顶面和侧 壁上形成。
5.根据权利要求1的方法，还包括：在衬底上形成具有预定的 功函数的栅极。
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