[发明专利]P－N结二极管及其制造方法

权利要求书

1、一种面层注入二极管，其包括：P+衬底，在该衬底的顶表面附近利 用N型掺杂剂面层注入物对该衬底进行注入，制造出P-区域；邻近所述P- 区域且在其上层叠的氧化物掩模，从所述P-区域的一部分部分地蚀刻掉所 述氧化物掩模，制造出蚀刻区域；注入到所述蚀刻区域中以在所述P+衬底 之上且邻近所述P-区域制造出N+区域的N型主结注入物；以及层叠在所述 氧化物掩模和所述蚀刻区域之上的金属。

2、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其被构造为表面安装或通 孔安装器件。

3、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其是通过单次的掩蔽来制 造的。

4、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中在所述衬底的顶表面 附近减小所述P+衬底的掺杂浓度。

5、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中掺杂剂面层减小了P-N 结的边角电场。

6、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其导致电场聚集在所述蚀 刻区域附近。

7、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中所述衬底为0.001～ 0.1Ω-CM的掺硼晶片。

8、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中所述N型掺杂剂面层 注入物为砷。

9、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中所述氧化物掩模为湿 式氧化物掩模。

10、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中所述N型主结注入 物为砷。

11、根据权利要求1所述的面层注入二极管，还包括邻近所述衬底的 金属电极，其与层叠在所述氧化物掩模和蚀刻区域之上的金属电极相对。

12、根据权利要求1所述的面层注入二极管，其中所述衬底掺杂有硼。

13、一种制造二极管的方法，包括：在P+衬底的顶表面附近注入N型 掺杂剂面层注入物，制造出P-区域；邻近所述P-区域且在其上层叠氧化物 掩模；蚀刻掉一部分所述掩模，制造出蚀刻区域；向所述蚀刻区域的所述 P-区域中注入N型主结注入物，在所述P+衬底之上且邻近所述P-区域制造 出N+区域；以及在所述氧化物掩模和所述蚀刻区域之上层叠金属，由此以 一道掩模工艺制造二极管。

14、根据权利要求13所述的方法，其中以大约80Kev、1*10¹²～1*10¹⁵cm^-2对N型掺杂剂面层注入物进行注入。

15、根据权利要求13所述的方法，其中以大约80Kev、1*10¹⁵～1*10¹⁷cm^-2对N型主结注入物进行注入。

16、根据权利要求13所述的方法，其中利用砷进行对N型掺杂剂面层 注入物的注入。

17、根据权利要求13所述的方法，其中利用砷进行对N型主结注入物 的注入。

18、根据权利要求13所述的方法，还包括在所述衬底下方层叠金属。

19、根据权利要求13所述的方法，还包括封装所述二极管以在电路中 使用。

20、根据权利要求13所述的方法，还包括利用硼对所述衬底进行注入 以制作所述P+衬底。

21、一种瞬变电压抑制器件，其包括：P+衬底，在所述衬底的顶表面 附近利用N型掺杂剂面层注入物进行注入，制造出P-区域；邻近所述P-区 域且在其上层叠的氧化物掩模，从所述P-区域的一部分部分地蚀刻掉所述 氧化物掩模，制造出蚀刻区域；注入到所述蚀刻区域中以在所述P+衬底之 上且邻近所述P-区域制造出N+区域的N-型主结注入物；层叠在所述氧化物 掩模和所述蚀刻区域之上的金属；电连接到所述金属的连接器端子；以及 电连接到所述衬底的连接器端子，由此制造出边角电场减小的电压抑制器 件。