[发明专利]使用引线框和夹片的半导体管芯封装及制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装的夹片结构，所述夹片结构包括：

具有水平表面的主要部分；

从所述主要部分的水平表面延伸出来的多个基座；

下移设置部分；以及

引线部分，

其中所述下移设置部分在所述引线部分和所述主要部分之间。

2.如权利要求1所述的夹片结构，其特征在于，所述夹片结构是源极 夹片结构或栅极夹片结构。

3.如权利要求1所述的夹片结构，其特征在于，所述下移设置部分包 括阶梯式构造。

4.一种半导体管芯封装，包括：

如权利要求1所述的夹片结构；

与所述夹片结构耦合的半导体管芯；以及

至少部分地覆盖所述夹片结构和所述半导体管芯的铸模材料。

5.如权利要求4所述的半导体管芯封装，其特征在于，进一步包括引 线框结构，其中所述半导体管芯在所述引线框结构与所述夹片结构之间。

6.如权利要求4所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管 芯包括垂直功率MOSFET。

7.一种半导体管芯封装，包括：

夹片结构，包括具有水平表面的主要部分、从所述主要部分的水平表 面延伸出来的多个基座、下移设置部分、以及引线部分，其中所述下移设 置部分在所述引线部分与所述主要部分之间，且具有阶梯式构造；

引线框结构；以及

半导体管芯，

其中所述半导体管芯在所述引线框结构与所述夹片结构之间。

8.如权利要求7所述的半导体管芯封装，其特征在于，进一步包括覆 盖所述夹片结构、所述引线框结构、以及所述半导体管芯的至少一部分的 铸模材料。

9.如权利要求7所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述半导体管 芯封装是MLP(微引线框封装)，并且所述半导体管芯包括垂直功率 MOSFET。

10.一种形成半导体管芯封装的方法，所述方法包括：

获得包括具有水平表面的主要部分、从所述主要部分的水平表面延伸 出来的多个基座、下移设置部分、以及引线部分的夹片结构，其中所述下 移设置部分在所述引线部分与所述主要部分之间；

获得半导体管芯；以及

将所述夹片结构附着到所述半导体管芯，其中所述多个基座面对所述 半导体管芯。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将所述半导体管芯附着到引线框结构；以及

在所述半导体管芯周围浇铸铸模材料。

12.一种形成半导体管芯封装的方法，所述方法包括：

获得包括具有水平表面的主要部分、从所述主要部分的水平表面延伸 出来的多个基座、下移设置部分、以及引线部分的夹片结构，其中所述下 移设置部分在所述引线部分与所述主要部分之间，且包括阶梯式构造；

获得半导体管芯；以及

将所述夹片结构附着到所述半导体管芯。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

将所述半导体管芯附着到引线框结构；以及

在所述半导体管芯周围浇铸铸模材料。

14.一种制造半导体管芯封装的方法，所述方法包括：

获得夹片组件，所述夹片组件包括具有水平表面的主要部分、从所述 主要部分的水平表面延伸出来的多个基座、下移设置部分、以及引线部分 的夹片结构，其中所述下移设置部分在所述引线部分与所述主要部分之间；

获得与至少一个对准结构相关联的引线框结构，其中所述对准结构在 装配半导体管芯封装期间将所述夹片组件与所述引线框结构对准；

将半导体管芯的第二表面附着到所述引线框结构；以及

将所述半导体管芯的第一表面附着到所述夹片组件。