[发明专利]增强半导体封装件的耐震性无效

专利信息
申请号: 200680042314.1 申请日: 2006-11-14
公开(公告)号: CN101310383A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: R·N·曼帕利;S·阿格拉哈拉姆 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 增强 半导体 封装 耐震
【说明书】:

技术领域

发明一般地涉及半导体封装件。

背景技术

半导体封装件一般通过使用焊球与母板连接。这样的封装件应该 经得起如运输途中发生的冲撞与振动。焊球一般通过形成金属间化合 物(IMC)的方式焊接到封装引线上。这些IMC一般非常脆,容易在 受到冲撞与振动时破碎。在无铅焊料和无铅封装工艺中尤为如此,因 为无铅焊料和由无铅焊料形成的IMC一般都比现用的含铅焊料更硬 而更脆。

而且,出于装置小型化和提高封装密度的需要,焊球的尺寸和间 距在不断减少。较小的焊球会导致较高的冲撞与振动风险,而这关系 到焊接点的失效。

附图说明

图1为表示本发明一个实施例的封装件的局部剖视放大图。

图2为表示本发明一个实施例的印刷电路板上的封装件的局部剖 视放大图。

图3为对应于图1的制造开始阶段的局部剖视放大图。

图4为本发明一个实施例的对应于图3的后续制造阶段的局部剖 视放大图。

图5为本发明一个实施例的对应于图4的后续制造阶段的局部剖 视放大图。

图6为本发明一个实施例的图5之后的阶段的局部剖视放大图。

图7为本发明一个实施例的后续阶段的局部剖视放大图。

图8为本发明一个实施例的后续阶段的局部剖视放大图。

图9表示一个实施例的系统。

发明内容

参见图1,在一个实施例中半导体封装件65可以是一种芯片级封 装件(CSP)。芯片级封装件是单裸片的、面积仅为原裸片的1.2倍 的直接表面安装的封装件。芯片级封装例如可以是倒装片、非倒装片、 线焊、球栅阵列或引脚封装等。

封装件65可包括一个其中有通路48贯穿而延伸的芯层18。通路 48可以是带衬套的、不带衬套的、无塞的或有塞的。在一个实施例中, 芯层18可以是带钻孔通路48的钻孔芯层。封装件65也可为任何封 装型式,包含具有不同于焊球的电端子的封装。其它端子例如可以是 含有销、塞和插孔的金属端子。

安装在芯层18之上的可以是例如处理器那样的集成电路82。该 电路82可以穿过封装件65与封装件对面的端子电性连接。在一个实 施例中,这些端子可以是焊球16。在一个实施例中,电路82可以通 过焊线79和焊盘81与封装件65电性连接。

在一个CSP实施例中,芯层18夹在金属镀敷层36和32之间。 在一个实施例中,金属镀敷层36和32可由铜形成。在一个实施例中, 金属镀敷层36具有对准通路48的开口46。在一个实施例中,金属镀 敷层32具有可至少部分地不对准通路48的开口52。在一个实施例中, 开口52大于通路48,以致它们至少在一侧在芯层18的一部分之下的 扩展部53处搭接。

在一些实施例中,通路48内可填入金属衬或金属塞(未图示)。 然而,在一些实施例中,可不使用衬套或塞。也可在扩展部53上形 成粘弹性材料56。该粘弹性材料56可具有低的杨氏模量,以达成后 述之目的。

金属镀敷层32之下可为阻焊层58。阻焊层58上可以有其中嵌入 接触部42的开口。接触部42可实现与通路48的衬套(若有的话) 的电性连接,或可与图1中未示出的金属镀敷层电性连接。

焊球16可表面安装到接触部42上。这样,可穿过芯层18而到 达焊球16来实现电性连接。

封装件65的任何震动负荷可由粘弹性材料56缓冲。特别地,焊 球上的任何震动,尤其是上向的震动,推动接触部42进入能衰减震 动负荷的粘弹性材料56。实际上,粘弹性材料56起到弹簧的作用, 缓冲了作用于焊球16的过度的震动负荷。

接着参阅图2,封装件65可安装在如印刷电路板那样的电路板 70上。在一个实施例中,线路板70可以有下层76和上层74,上层 74中点状地嵌有接触部72。焊球16可表面安装在接触部72上。这 样,任何通过电路板70而加到焊球16上的震动负荷可由封装件65 内和一些实施例中电路板70内的粘弹性材料56进行缓冲。

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