[发明专利]多晶陶瓷磁性材料、微波磁性部件、和使用其的不可逆电路元件

权利要求书

1.一种多晶陶瓷磁性材料，其特征在于，

具有由通式：(Y_3-x-y-zBi_xCa_yGd_z)(Fe_{5-α-β-γ-ε}In_αAl_βV_γZr_ε)O₁₂表示 的基本组成，其中，原子比分别为：0.4＜x≤0.9，0.5≤y≤1，0≤z≤0.4， y+z＜1.3，0≤α≤0.6，0≤β≤0.45，0.25≤γ≤0.5，0≤ε≤0.25，和0.15≤ α+β≤0.75，主要由具有石榴石结构的相构成，可以在850～1050℃的温 度下烧成。

2.如权利要求1所述的多晶陶瓷磁性材料，其特征在于，

饱和磁化4πMs为60～130mT，其温度系数αm为-0.38％/℃～- 0.22％/℃，强磁性共振半幅值ΔH不到20000A/m。

3.一种微波磁性部件，具有微波磁性体和在所述微波磁性体的内部 和/或表面上形成的电极图案，其特征在于，

在由权利要求1至2中任一项所述的多晶陶瓷磁性材料形成的成形体 的内部和/或表面，按照形成所述电极图案的方式印刷含有从Ag、Cu、 Ag合金、以及Cu合金所构成的组中选择的至少一种的导电膏，并一体 烧成而成。

4.一种不可逆电路元件，具有权利要求3所述的微波磁性部件，其 特征在于，

所述电极图案构成中心导体，还具有与所述中心导体连接的电容器、 和向所述微波磁性部件施加直流磁场的铁氧体磁铁。

5.如权利要求4所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述铁氧体磁铁的残留磁通量密度Br为420mT以上，其温度系数为 -0.15％/℃～-0.25％/℃。