[发明专利]图案曝光方法和图案曝光设备

权利要求书

1.一种图案曝光方法，包括下列步骤：

连续输送具有光敏层的带-样或片-样工件；和

通过以距所述工件的预定贴近间隙布置并且具有掩模图案的光掩模，对所述工件周期地施加接近式曝光达一定的曝光时间，从而在所述工件上形成周期图案，所述周期图案是所述掩模图案沿所述工件的输送方向的周期排列，

其中当所述周期图案的一个周期的长度为周期长度L₀，所述工件在垂直于所述工件输送方向的方向上的宽度为工件宽度W₀，上面安置有所述掩模图案的图案区域在所述工件输送方向上的长度为图案长度L，在所述图案区域在工件宽度方向上的长度为图案宽度W，所述工件的输送速度为V，用于曝光所述周期图案的曝光周期为T，所述曝光时间为ΔT，以及所述掩模图案的最小线宽为Dmin时，以每个所述曝光周期T对覆盖所述掩模图案的至少一个周期的曝光区域施加的所述曝光时间ΔT的所述接近式曝光，遵循下列条件式：

L₀＜L；

W₀＜W；

L₀/V≥T；和

V·ΔT＜Dmin。

2.根据权利要求1所述的图案曝光方法，其中当从曝光光源投射在所述光掩模上的光在所述工件输送方向上的长度为Lb时，满足关系Lb＞L₀，当商数Lb/L₀为m时所述光掩模具有在所述工件输送方向上排列的m个所述掩模图案，其中m是自然数，并且通过在所述工件输送速度V和所述曝光周期T之间建立同步，使得所述工件输送速度V和所述曝光周期T之间的关系满足下式：

(n-1)×(L₀/V)＝T，其中n是自然数；和

2≤n≤m，

在所述工件已经通过第一掩模图案曝光了潜像图案的部分在第一掩模图案的下游布置的第n个掩模图案下面通过时，在所述工件的该部分上通过所述的第n个掩模图案多次曝光相同的图案。

3.根据权利要求2所述的图案曝光方法，其中所述工件的密度通过n次的所述多次曝光达到需要值，其中n≥2。

4.根据权利要求2所述的图案曝光方法，其中在所述曝光周期T期间，所述曝光光源在一个方向上扫描光，以通过所述光掩模使所述工件的整个宽度曝光。

5.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中所述曝光光源是半导体激光发射器，所述曝光是用从所述半导体激光发射器发射，然后由准直透镜准直的激光束进行的。

6.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中所述曝光光源是双通道的半导体激光发射器，所述曝光是通过使用从所述半导体激光发射器发射，经受偏振多路传输，然后通过准直透镜准直的双通道的激光束进行的。

7.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中所述曝光光源是多个半导体激光发射器，所述曝光是使用光进行的：形成所述的光，使得多个激光束分别由相应的准直透镜准直，然后将准直的激光束合并到小的区域中。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的图案曝光方法，其中所述激光束的波长为405nm。

9.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中，当来自所述曝光光源的所述光的扫描速度是Vb时，以作为所述工件在一次扫描中的移动长度的V·W/Vb的量，将所述掩模图案从所述掩模图案的所述宽度方向垂直于所述工件输送方向的位置向所述工件输送方向上的激光扫描的下游侧倾斜。

10.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中所述曝光光源响应于其扫描速度的改变而改变所述光的强度，从而将所述工件上的曝光量在整个宽度上保持不变。

11.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中形成所述掩模图案，使得当所述贴近间隙为Lg时，将它们的位置根据来自所述曝光光源的所述光的入射角θ的改变而在所述宽度方向上向内移动Lg·sinθ。

12.根据权利要求4所述的图案曝光方法，其中所述掩模图案的宽度根据所述扫描在宽度方向上的位置而改变，以保持所述工件上的所述周期图案的线宽沿所述宽度方向均匀。