[发明专利]蚀刻方法以及蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其用于蚀刻形成在被处理体表面的被加工层，其特征在于，该蚀刻方法包括：

保护膜形成工序，在上述被处理体表面均匀形成保护层；

掩膜形成工序，通过在上述保护层形成规定的蚀刻用凹部来形成图案化的蚀刻掩膜；

抗等离子膜形成工序，包括上述蚀刻用凹部的底部以及侧面在内，在上述蚀刻掩膜的整个表面形成抗等离子膜；

底部抗等离子膜除去工序，除去在上述蚀刻用凹部的底部形成的上述抗等离子膜；

蚀刻工序，在上述底部抗等离子膜除去工序之后将上述蚀刻掩膜作为掩膜，对上述被加工层进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在上述蚀刻用凹部底部形成的上述抗等离子膜的厚度小于在上述蚀刻掩膜上表面形成的上述抗等离子膜的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，在比上述蚀刻掩膜的耐热温度低的温度下，通过等离子CVD处理形成上述抗等离子膜。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，预先在上述被加工层的表面形成防反射膜。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在上述抗等离子膜形成工序之前或者之后，进行底部防反射膜除去工序，该底部防反射膜除去工序用于除去位于上述蚀刻用凹部底部的上述防反射膜。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在上述蚀刻工序之后依次进行除去上述抗等离子膜的抗等离子膜除去工序和除去上述掩膜的掩膜除去工序。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在同一等离子处理装置内进行上述抗等离子膜形成工序、上述底部抗等离子膜除去工序、以及上述蚀刻工序中的部分工序或全部工序。

8.一种蚀刻装置，其用于对被处理体进行规定的蚀刻处理，其特征在于，该蚀刻装置包括：

处理容器，其可以被抽成真空；

载置台，其设置在上述处理容器内，用于载置被处理体；

气体导入部件，其向上述处理容器内导入规定的气体；

等离子化部件，其在上述处理容器内使上述规定气体等离子化；

装置控制部，其控制上述气体导入部件以及上述等离子化部件，从而进行抗等离子膜形成工序、底部抗等离子膜除去工序、以及蚀刻工序中的部分工序或者全部工序；在该抗等离子膜形成工序中，在形成于上述被处理体的被加工层表面的蚀刻掩膜的整个表面上形成抗等离子膜；在该底部抗等离子膜除去工序中，除去在蚀刻用凹部底部形成的抗等离子膜，该蚀刻用凹部形成在上述蚀刻掩膜上；在该蚀刻工序中，将除了蚀刻用凹部的底部之外被抗等离子膜覆盖的上述蚀刻掩膜用作掩膜，对上述被加工层进行蚀刻。

9.一种存储介质，其存储用于使计算机实施下述控制方法的计算机程序；

上述控制方法控制蚀刻装置，该蚀刻装置具有可以被抽成真空的处理容器、设置在上述处理容器内而用于载置被处理体的载置台、向上述处理容器内导入规定气体的气体导入部件、在上述处理容器内使上述规定气体等离子化的等离子化部件；

上述控制方法用于控制上述气体导入部件以及上述等离子化部件，从而进行抗等离子膜形成工序、底部抗等离子膜除去工序、以及蚀刻工序中的部分工序或者全部工序；在该抗等离子膜形成工序中，在蚀刻掩膜的整个表面上形成抗等离子膜，该蚀刻掩膜形成在上述被处理体的被加工层表面；在该底部抗等离子膜除去工序中，除去在蚀刻用凹部底部形成的抗等离子膜，该蚀刻用凹部形成在上述蚀刻掩膜上；在该蚀刻工序中，将除了蚀刻用凹部的底部之外被抗等离子膜覆盖的上述蚀刻掩膜作为掩膜，对上述被加工层进行蚀刻。