[发明专利]可表面安装的光电器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680040666.3 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN101300688A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: B·布劳恩;H·布鲁纳;T·霍弗;H·瓦格;R·斯瓦茨 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 表面 安装 光电 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

文件US 4,843,280描述了一种光电器件。

提供一种可表面安装的光电器件以及用于制造这种器件的方法。

技术问题在于,提供一种可表面安装的光电器件,其中外壳体积 与芯片体积之比要尽可能小。

根据所述可表面安装的器件的至少一个实施方案,所述可表面安 装的器件具有一个光电半导体芯片。该光电半导体芯片可以是一种接 收辐射的或发射辐射的半导体芯片。比如该半导体芯片是一个发光二 极管芯片,比如发光二极管芯片或激光二极管芯片。另外该光电半导 体芯片还可以是光电二极管芯片。另外该光电器件还可以包括这些半 导体芯片中的多种。该光电器件在此尤其还可以包括一个接收辐射的 和一个产生辐射的半导体芯片。另外该光电器件还可以包括发光二极 管芯片,其中该发光二极管芯片适于产生波长相互不同的电磁辐射。

根据该光电器件的至少一个实施方案,该光电器件具有一个型件 该型件最好至少部分地成形于该光电半导体芯片。 亦即:该型件的材料(该型材)与该半导体芯片相接触。尤其优选的是 该型件出于成形原因而至少部分地包裹着该半导体芯片。该型件在此 由一种材料组成,该材料至少对于电磁辐射的一部分是透明的,其中 该光电半导体芯片在器件运行过程中发射电磁辐射,或者应该由该光 电半导体芯片接收电磁辐射。优选地该型件是塑料件,该塑料件包含 有一种塑料或由这种塑料组成。该光电半导体芯片优选地利用该型件 的型材来浇注或注塑。亦即:该型件优选地借助一种浇注或压铸方法 来制造。该型件在此同时体现为该半导体芯片的一个浇注物和该器件 的外壳。

根据所述可表面安装的器件的至少一个实施方案,该器件具有一 个安装面,该安装面由该型件的表面的一部分来提供。该器件的安装 面在此表示该器件的朝向载体(比如线路板)的那个面,其中在所述载 体上来安装所述可表面安装的器件。该安装面在此可以是一个承重面, 其中该器件利用该承重面设置在该载体上。为此该安装面至少部分地 与该载体机械接触。另外,该安装面也可以与一种连接材料(比如焊料) 相接触,其中通过焊料与所述可表面安装的器件电气接触。亦即:该 连接材料则浸透了部分安装表面,并从而浸透了部分型件。

根据所述可表面安装的器件的至少一个实施方案,所述可表面安 装的器件具有至少一个连接位置。

所述可表面安装的器件的连接位置在此设置用于电气接触该器 件。它优选地至少部分地位于该型件中。优选地该连接位置在所述可 表面安装的器件的安装面上向外露出。亦即:在所述可表面安装的器 件的安装面上可以电气接触该器件。

根据至少一个实施方案,该器件另外具有侧面,该侧面借助分离 来制造。该侧面是该器件的侧面围绕该安装面的、并比如在垂直于安 装面的方向上延伸的那些面。

该侧壁优选地借助分离来制造。该侧面的轮廓和形状从而尤其不 是通过一种浇注或压铸过程来生成,而是借助一种型件的分离过程。 比如可以借助锯、剪切或者形成折断棱角并接着折断来进行所述分离。 亦即:在分离为单个的器件时优选地进行材料去除。该型件的侧面并 从而该器件的侧面则借助材料去除来形成。该侧面则优选地具有材料 去除的痕迹。如果在制造所述可表面安装的器件时不但穿过该型件、 而且穿过该连接位置来分离,亦即:如果比如还穿过该连接位置来锯、 剪切或折断,那么该连接位置就结束于该侧面,亦即水平方向与型件 齐平。

也就是说,该连接位置优选地与型件水平地延伸,或者水平与型 件齐平。所述的水平在此表示在一个与安装面平行或基本平行的平面 中延伸的那个方向。亦即:该连接位置位于该器件的安装面上,并且 不突出所述可表面安装的器件的侧面。该侧面比如可以构造为平面的。 也就是说,该侧面在该情况中构造为无突起的。这从而首先是可以的, 因为该侧面通过分离来产生,并且该连接位置从而被型件超出或者与 之齐平,并从而该连接位置可以不突出该侧面或者从中突出。

在所述可表面安装的器件的安装面上优选地可自由接触到该连接 位置和该型件的一部分。

根据所述可表面安装的器件的至少一个实施方案,该器件具有一 个光电半导体芯片、在该半导体芯片上成形的一个型件、至少部分地 由该型件的一个表面来形成的一个安装面、至少一个连接位置、以及 通过分离而产生的侧面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680040666.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top