[发明专利]用于晶圆片级芯片尺寸封装的再分布层及其方法

权利要求书

1.一种用于制备集成电路器件(IC)的方法，该集成电路器件在硅衬底(305)上具有电路图形，该电路图形具有键合焊盘(310)用于封装在晶圆级芯片尺寸(WLCS)封装中，所述方法包括步骤：

在所述硅衬底(305)上沉积(05)第一有机电介质层，覆盖所述IC器件的电路图形；

在所述电路图形的键合焊盘(310)上定义(10，15)键合焊盘开口，以及在距第一有机电介质层(315)中的键合焊盘开口预定距离处定义凸点焊盘开口；

在第一有机电介质层(315)上沉积(20)金属层，并且填充所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口，所述金属层(320)具有顶部金属层(340)和底部金属层(360)；

通过去除所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口以外区域的顶部金属层(340)，并且保留在不具有键合焊盘或凸点焊盘连接区域的底部金属层(360)，来定义(25，30)键合焊盘连接和凸点焊盘连接；

在所述底部金属层(360)中，定义(35，40)从键合焊盘连接至凸点焊盘连接的连接走线(350)；

在所述硅衬底(305)上沉积(45)第二有机电介质层(325)，遮盖电路图形；以及

去除(50)凸点焊盘连接处的第二有机电介质层(325)，并暴露凸点焊盘连接。

2.如权利要求1所述的方法，其中定义所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口还包括涂敷(25)光致抗蚀剂以掩盖被定义为键合焊盘开口和凸点焊盘开口的区域之外的区域中的第一有机电介质区域，以及对被定义为键合焊盘开口和凸点焊盘开口的区域进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其中定义(25，30)键合焊盘连接和凸点焊盘连接还包括：

涂敷光致抗蚀剂以掩盖所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口上的顶部金属层，所述光致抗蚀剂充当顶部金属层蚀刻的蚀刻阻挡层。

4.如权利要求3所述的方法，其中定义(35，40)连接走线还包括：涂敷光致抗蚀剂以掩盖所述键合焊盘连接和所述凸点焊盘连接，以及掩盖形成所述键合焊盘和凸点焊盘之间的连接走线的底部金属层区域。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：将焊料凸点(345)涂敷(55)给所述的暴露凸点焊盘连接。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述金属层(320)还包括：

沉积的多个金属子层(1，2，3，4，5，6)。

7.如权利要求2、3、4、5或6所述的方法，其中所述顶部金属层(340)包括一个或多个金属子层(5，6)；以及所述底部金属层(360)包括一个或多个金属子层(1，2，3，4)。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述顶部金属层包括选自以下：Ni、V、Cu、NiV、Cr和W的金属。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述底部金属层包括选自以下：Al、Ni、V、Cu、Ti和NiV的金属。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中，所述顶部金属层包括由NiV和Cu或Cr和W组成的两个子层；所述底部金属层包括由Al、NiV、Cu和Ti组成的四个子层。

11.如权利要求1、2、3或4所述的方法，其中所述第一有机和第二有机电介质层(315，325)选自以下：苯环丁烯、环氧树脂、聚酰亚胺。

12.如权利要求4、5、6、8或9所述的方法，其中所述第一有机和第二有机电介质层(315，325)选自以下：苯环丁烯、环氧树脂、聚酰亚胺。