[发明专利]成膜材料供给装置有效

专利信息
申请号: 200680038678.2 申请日: 2006-10-11
公开(公告)号: CN101292058A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 饭岛荣一;藤原明弘;增田行男 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;H01J11/02;H01J9/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 何腾云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 材料 供给 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及成膜材料供给装置,更详细地说,是涉及在真空蒸镀 装置中、将成膜材料从成膜材料供给室定量地向成膜室的熔沟(リン グハ一ス)供给的成膜材料供给装置。

在成为等离子电视中使用的等离子显示板(PDP)的面板的前面 的玻璃基板上形成放电电极,为了保护该放电电极而形成氧化镁 (MgO)的膜。近年,由于等离子电视迅速普及,面板的需要也急剧 增大,与此相应,也要求MgO成膜用的真空蒸镀装置增大生产能力。

作为以往的MgO成膜用的真空蒸镀装置中的MgO的供给装置, 图21所示的装置已被公知。参照图21,在真空蒸镀装置的成膜室120 的上部,设置将形成有电极的基板G以水平的姿势运入运出的输送机 构128,在玻璃基板G的下方,与产生电子束的皮尔斯电子枪151一 起配置用于使作为保护膜的材料的MgO颗粒蒸发的两个熔沟150。另 外,在成膜室120的两侧部的上方设置成膜材料供给室110,在成膜 材料供给室110上设置将MgO颗粒送入成膜室120内的第二机构, 借助闸门阀113与成膜材料供给室110连接。在成膜室120内,设置 作为将MgO颗粒向熔沟150供给的第一供给机构的旋转圆筒供料器 141。然后,成膜室120通过真空泵109进行真空排气,成膜材料供给 室110通过未图示的真空泵进行真空排气。另外,MgO颗粒作为粗粒 状、圆柱状(例如,直径5~6mm,高度3~5mm)的物体被供给。

背景技术

然而,随着最近的玻璃基板的大型化,产生了像图22所示那样在 成膜室120内并列设置三个熔沟150的需要。在它们的上方,如图22 所示,通过输送机构128、相对于纸面在垂直方向移送玻璃基板G, 然而,即使为了向中央的熔沟150供给成膜材料MgO颗粒、而要设 置与左右两端的熔沟150同样的成膜材料供给装置,从图中可以看出, 也不可能不影响玻璃基板G而设置成膜材料供给室110以及旋转圆筒 供料器141。

另一方面,在特开2003-321768号公报中记载了如下的装置,在 该装置中,并列在圆周上的三个熔沟旋转,依次被电子枪加热,在它 们的上方被保持在圆形的基板保持器上的多个基板旋转,使来自熔沟 的成膜材料蒸镀。通过直线供料器向这些熔沟供给成膜材料。据此, 能够均匀地向三个熔沟供给成膜材料。该装置不是像本申请的发明那 样、在并列设置于下方的熔沟的上方沿规定方向移送基板的装置,另 外,关于直线供料器也丝毫没有提及控制性。

专利文献1:特开2003-321768号公报

专利文献2:特开2000-199050号公报

本申请的发明就是鉴于上述问题而提出的,其课题是提供一种成 膜材料供给装置,该成膜材料供给装置相对于在被移送的基板的宽度 方向上并列设置有三个以上的熔沟,对除两端的熔沟以外的中间的熔 沟也能够供给成膜材料,而且,能够均匀地对所有的熔沟供给成膜材 料。

发明内容

以上的课题是通过真空蒸镀装置的成膜材料供给装置来解决的, 该真空蒸镀装置使成膜材料在成膜室内的熔沟上蒸发,并在上方进行 移送的基板上形成膜,所述成膜材料从能承受长期间的连续运转并收 容着大量的成膜材料的成膜材料供给室进行供给,其特征在于,上述 熔沟在上述被移送的基板的宽度方向并列设置三个以上,至少除两端 的熔沟以外的中间的熔沟是通过能够调节上述成膜材料的供给量的电 磁振动供料器供给的。

另外,以上的课题是通过真空蒸镀装置的成膜材料供给装置来解 决的,该真空蒸镀装置使成膜材料在成膜室内的熔沟上蒸发,并在上 方进行移送的基板上形成膜,所述成膜材料从能承受长期间的连续运 转并收容着大量的成膜材料的成膜材料供给室进行供给,其特征在于, 上述熔沟在上述被移送的基板的宽度方向并列设置三个以上,至少除 两端的熔沟以外的中间的熔沟是通过能够调节上述成膜材料的供给量 的电磁振动供料器供给的,在两端的上述成膜材料供给室内设置有将 上述成膜材料向下方排出的成膜材料料斗、计量从上述成膜材料料斗 排出的上述成膜材料并接受一定量的上述成膜材料的计量料斗、接受 从上述计量料斗排出的一定量的上述成膜材料并向下方排出的漏斗状 料斗、定量移送设备,该定量移送设备在上述成膜室内设置,接受从 上述漏斗状料斗排出的上述成膜材料,以规定的供给速度向下方的上 述熔沟供给。

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