[发明专利]掺杂剂区重叠中的对齐标记

权利要求书

1、一种集成电路对准装置，所述装置包括：

第一掺杂剂区，其形成于衬底最上表面层的第一部分中；

第二掺杂剂区，其形成于所述衬底的所述最上表面层的第二部分中；

重叠区，其通过所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区重叠而形成；以及

对齐标记，其位于所述重叠区中的所述最上表面层中，所述对齐标记经配置以提供用于任何接续制作步骤的对准特征的参考。

2、如权利要求1所述的装置，其中所述对齐标记提供用于对准其它掺杂剂的一个或一个以上区的参考。

3、如权利要求1所述的装置，其中所述第一掺杂剂区的图案化和所述第一掺杂剂区中的最上保护层的蚀刻提供用于形成所述对齐标记的第一对准人工制品。

4、如权利要求1所述的装置，其中所述对齐标记提供用于定位有源层的对准参考。

5、一种制作具有对准特征的装置的方法，所述方法包括：

向衬底的最上表面涂敷至少一个保护层；

在所述至少一个保护层上涂敷第一光致抗蚀剂；

在所述第一光致抗蚀剂中图案化多个第一开口；

使用第一掺杂剂大致在所述多个第一开口中掺杂所述衬底来形成第一沉积区；

去除所述第一光致抗蚀剂；

在所述至少一个保护层上涂敷第二光致抗蚀剂；

在所述第二光致抗蚀剂中图案化第二开口；

使用第二掺杂剂大致在所述第二开口中掺杂所述衬底来形成第二掺杂剂区；

将所述第二开口与所述多个第一开口对准来形成所述第二掺杂剂区和所述第一掺杂剂区的重叠区；以及

透过所述重叠区中的所述衬底的所述至少一个保护层和上层的第一部分两者蚀刻对齐标记凹槽来形成对齐标记。

6、如权利要求5所述的方法，其中所述至少一个保护层包括第一氧化物层、氮化硅层和第二氧化物层，所有这些层在所述衬底的表面上形成ONO堆栈。

7、如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

在所述多个第一开口的每一者中的所述至少一个保护层的最上部分中蚀刻对齐标记人工制品。

8、如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

去除所述第二光致抗蚀剂和所述至少一个保护层；以及

向所述衬底的所述表面上以及所述对齐标记上方涂敷进一步的至少一个保护层。

9、如权利要求8所述的方法，其中所述进一步的至少一个保护层包括：第一氧化物层、氮化硅层和第二氧化物层，所有这些层在所述衬底的所述表面上，包含在所述对齐标记上方，形成ONO堆栈。

10、如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

去除所述第二光致抗蚀剂和所述至少一个保护层；

在所述衬底上涂敷第三光致抗蚀剂；

对准所述第三光致抗蚀剂中的掺杂剂窗口的图案，所述对准相对于所述对齐标记而进行；以及

使用第三掺杂剂掺杂所述衬底。