[发明专利]发光体无效
| 申请号: | 200680038009.5 | 申请日: | 2006-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN101287811A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
| 发明(设计)人: | 上田正;山内省更;金森二郎;林义定 | 申请(专利权)人: | 可乐丽璐密奈丝株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/87 | 分类号: | C09K11/87 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光体 | ||
技术领域
本发明涉及发光体,更具体地涉及用于生产发光材料的无机复合物和生产该复合材料的方法,以及发光材料。更特别地,本发明涉及包括使无机组合物在密封容器中通过火药和/或炸药进行爆炸的生产无机复合物的方法,其中使用含铱元素的无机组合物的用于生产发光材料的无机复合物的生产方法,以及通过加热处理该无机复合物获得的发光材料。由于本发明的发光材料具有优良的发射效率,其可优选用于电致发光器件(EL器件)。
本发明还涉及无机组合物。更具体地,本发明涉及含化合物半导体作为主要组分的无机组合物,其中该无机组合物含有铱元素。本发明的无机组合物可优选用作用于生产无机EL器件的发光材料用原材料,其显示高效率的电能或光能光转换。
此外,本发明涉及能够通过直流电发射的无机EL器件。
背景技术
电致发光器件是利用将当电场施加于物质时发生发光现象的发光器件,并能够粗略地分为有机EL器件和无机EL器件,所述有机EL器件基于包括金属配合物如羟基喹啉铝(alumiquinolinol)或共轭大分子如聚苯乙炔的有机材料,所述无机EL器件基于无机材料如硫化锌或氧化铝盐。
由于无机EL器件与有机EL器件相比具有优良的耐久性和低的动力消耗,因此,预期无机EL器件将应用于图像显示系统如轻而大的平板显示器。此外,可将无机EL器件分类为通过将发光材料分散于无机或有机粘结剂中而获得的分散型EL器件和使用发光材料的薄晶体膜的薄膜型EL器件。尽管每种器件可以通过施加直流电或交流电用作发光器件,但是,作为高亮度和低动力消耗器件,通常薄膜型EL器件更好。
在此,为了制备图像显示系统,显示发射如红色、绿色、蓝色或类似色彩的发光材料是必要的。在现有技术中,已知:无机EL器件基于由II族元素和VI族元素组成的II-VI族化合物如ZnS或SrS而制造,
通过将少量Mn(锰)加入ZnS获得的材料发射黄橙色光(例如参见非专利文献1);
通过将Tb(铽)等加入ZnS获得的材料发射绿色光(例如参见非专利文献2);和
通过将Cu(铜)等加入ZnS获得的材料发射蓝色光(例如参见非专利文献3)。
通常,这些材料可以通过将少量金属掺杂进入基础载体的方法如煅烧(例如参见专利文献1),或者另外通过在制备颗粒时在液相中掺杂等(例如参见专利文献2)而获得。
无机EL器件可以通过在EL材料相对侧的每一侧上形成电极而制备,当将预定电压施加于无机EL器件的两电极之间时,其可以显示所使用的无机EL材料中固有的发光现象。
然而,从上述无机EL材料难以获得具有适用于图像显示系统的颜色和发射强度的光发射体。至今获得的发光体存在下列问题:它们不具有足够的亮度,它们具有比其它照明更短的寿命(专利文献3)。亮度可以通过施加更高的电压而提高。然而,光发射体的寿命依赖于所施加电压的增高而趋于变短。因此,必需选择亮度或寿命。
[非专利文献1]Journal of Crystal Growth 169(1996)p33-39
[非专利文献2]Applied Surface Science 244(2005)p524-527
[非专利文献3]Journal of luminescence 99(2002)P325-334
[专利文献1]日本专利公布特开平08-183954
[专利文献2]日本专利公布特开2003-73119
[专利文献3]日本专利公布特开2002-241753
发明内容
[本发明所要解决的问题]
本发明的目的是提供生产具有结合光发射体高水平亮度和寿命的发光材料的新方法,可用于该方法的新无机复合物以及新发光材料。
本发明的另一目的是提供无机组合物,其可用作用于生产发光材料的原材料,该发光材料通过其新的材料组合物能够以高效率发射。
本发明的另一目的是提供能够由直流电驱动的无机EL器件,由此其可用于可移动应用和高亮度应用如照明的光源。
[解决问题的手段]
本发明提供如下。
[1]一种用于生产发光材料的无机复合物的生产方法,其中,该方法包括使主要含有化合物半导体的无机组合物在密封容器中通过火药和/或炸药进行爆炸。
[2][1]的无机复合物的生产方法,其中该无机组合物含有铱元素。
[3]一种无机组合物,其含有作为主要组分的化合物半导体和铱元素。
[4][3]的无机组合物,其含有过渡金属、卤素或稀土元素。
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