[发明专利]发光体无效

专利信息
申请号: 200680038009.5 申请日: 2006-10-10
公开(公告)号: CN101287811A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 上田正;山内省更;金森二郎;林义定 申请(专利权)人: 可乐丽璐密奈丝株式会社
主分类号: C09K11/87 分类号: C09K11/87
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光体
【权利要求书】:

1.一种用于生产发光材料的无机复合物的生产方法,其中,该方法包括使主要含有化合物半导体的无机组合物在密封容器中通过火药和/或炸药进行爆炸。

2.根据权利要求1所述的无机复合物的生产方法,其中,该无机组合物含有铱元素。

3.一种无机组合物,其含有作为主要组分的化合物半导体和铱元素。

4.根据权利要求3所述的无机组合物,其含有过渡金属、卤素或稀土元素。

5.根据权利要求3或4所述的无机组合物,其中,该化合物半导体是II-VI族化合物半导体。

6.一种用于生产发光材料的无机复合物,其从根据权利要求3至5任一项的无机组合物获得。

7.一种生产无机复合物的方法,其中,该方法包括热处理根据权利要求3至5任一项的无机组合物。

8.一种生产发光材料的方法,其中,该方法包括热处理由根据权利要求1或7的方法获得的无机复合物。

9.一种发光材料,其由根据权利要求8的方法获得。

10.一种无机EL器件,其使用根据权利要求9的发光材料。

11.一种无机EL器件,其包括:

至少两个电极;和

由根据权利要求9的发光材料组成并设置在所述电极之间的光发射体层;

其中,在直流电驱动期间达到的器件亮度为10,000cd/m2以上。

12.根据权利要求11所述的无机EL器件,其中,该光发射体层的厚度为0.05μm至100μm。

13.根据权利要求11或12所述的无机EL器件,其中,该光发射体层包括多个具有彼此不同的组成的发光层。

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