[发明专利]烯属不饱和聚异丁烯的聚合方法

权利要求书

1.一种聚合烯属不饱和单体的方法，该方法包括在式I催化剂的存在下聚合烯属不饱和单体，

                [M(L)_a]^m+m(A^-)    (I)

其中

M是Cu、Fe、Mo或Co；

L是溶剂分子；

A^-是弱配位或非配位的阴离子；

a是4-6的整数；和

m是1、2或3。

2.根据权利要求1的方法，用于制备高反应性异丁烯均聚物或共聚物。

3.根据权利要求2的方法，用于制备具有至少80摩尔％亚乙烯基末端双键含量的高反应性异丁烯均聚物或共聚物。

4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中M是Cu或Fe。

5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中式I催化剂中的溶剂分子L是相同或不同的，并选自式N≡C-R¹的腈，其中R¹是C₁-C₈-烷基或芳基，以及开链和环状的醚。

6.根据权利要求5的方法，其中L是式N≡C-R¹的腈，其中R¹是甲基、乙基或苯基。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中A^-选自BX₄^-，B(Ar)₄^-，式[(Ar)₃B-(μ-Y)-B(Ar)₃]^-的桥接阴离子，SbX₆^-，Sb₂X₁₁^-，AsX₆^-，As₂X₁₁^-，ReX₆^-，Re₂X₁₁^-，AlX₄^-，Al₂X₇^-，OTeX₅^-，B(OTeX₅)₄^-，Nb(OTeX₅)₆^-，[Zn(OTeX₅)₄]₂^-，OSeX₅^-，三氟甲磺酸根，高氯酸根，碳硼酸根和碳簇阴离子，其中：

Ar是苯基，任选地带有1-5个选自卤素、C₁-C₄-烷基和C₁-C₄-卤代烷基的取代基；

Y是桥接基团；和

X是氟或氯。

8.根据权利要求7的方法，其中Y选自环状桥接基团。

9.根据权利要求7的方法，其中X是氟。

10.根据权利要求7的方法，其中A^-是B(Ar)₄^-或[(Ar)₃B-(μ-Y)-B(Ar)₃]^-。

11.根据前述权利要求中任一项的方法，其中聚合在至少0℃的温度进行。

12.根据前述权利要求中任一项的方法，用于制备数均分子量Mn为500-1,000,000的高反应性异丁烯均聚物或共聚物。

13.根据权利要求2-12中任一项的方法，其中高反应性异丁烯均聚物或共聚物具有最多2的多分散度。

14.根据前述权利要求中任一项的方法，用于制备从含有异丁烯和至少一种乙烯基芳族化合物的单体形成的共聚物。