[发明专利]基板处理方法和记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及在被处理基板上进行成膜的成膜装置的基板处理方法和存储有在计算机中运行该基板处理方法的程序的记录介质。

背景技术

在被处理基板上进行成膜的成膜装置，例如CVD(化学气相沉积)装置等中，在处理容器内载置被处理基板并进行规定的成膜。通过这样的成膜处理在被处理基板上形成期望的薄膜，但是该处理容器的内壁、或基板保持台等被处理基板以外的部件也会附着有成膜处理所产生的薄膜，成为堆积物。这样附着的上述堆积物随着反复利用成膜装置进行成膜而膜厚增大，最终剥离并成为产生颗粒的原因。

因此，为了除去处理容器内的堆积物，提出使用远程等离子体的清洁方法。例如，在远程等离子体清洁方法中，在基板处理容器之外设置有用于生成氟自由基的远程等离子体产生部，通过激励等离子体，利用例如NF₃等清洁气体生成氟自由基。因此，通过将该氟自由基导入基板处理容器，使堆积物气化并向该基板处理容器外排出。

专利文献1：日本特开平10-149989号公报

发明内容

但是，在上述利用远程等离子体的清洁方法中，因为在用于清洁的反应种中主要使用氟自由基，所以例如在基板处理容器内部具有石英部件等的情况下，存在该石英部件被蚀刻的问题。而且，在该基板处理容器内部使用AlN、Al₂O₃等陶瓷部件的情况下，虽然相比于上述石英部件的情况，蚀刻量较小，但是因为向该基板处理容器内大量导入该氟自由基，所以该陶瓷部件通过该氟自由基被蚀刻，形成例如铝的化合物等，并残留在该基板处理容器内，担心其混入在成膜工序中形成的薄膜中，作为膜中污染导致该薄膜的膜质下降。

因此，在本发明中，为了解决上述问题，总的目的在于提供一种新型且有用的基板处理方法和存储有在计算机中运行该基板处理方法的程序的记录介质。

本发明具体的课题是，提供一种能够高效地保持成膜装置的处理容器内的清洁并且生产率良好的基板处理方法，和存储有在计算机中运行该基板处理方法的程序的记录介质。

在本发明第一观点中，通过下述方法解决上述问题，该方法是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，上述基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。

此外，在本发明第二观点中，通过下述记录介质解决上述问题，该记录介质存储有在计算机中运行成膜装置的基板处理方法的程序，该成膜装置包括：用于保持被处理基板并且具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该记录介质的特征在于：上述基板处理方法包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低的低温成膜工序。

根据本发明，能够提供一种高效地保持成膜装置的处理容器内的清洁并且生产率良好的基板处理方法，和存储有在计算机中运行该基板处理方法的程序的记录介质。

附图说明

图1是实施实施例1的基板处理方法的成膜装置的一个例子。

图2A是表示实施例1的基板处理方法的图(之一)。

图2B是表示实施例1的基板处理方法的图(之二)。

图2C是表示实施例1的基板处理方法的图(之三)。

图3是比较W膜和热氧化膜的蚀刻速率的图。

图4是表示压力和W膜的蚀刻的活化能(activation energy)的关系的图。

图5是表示W膜和热氧化膜的蚀刻速率的比的图(之一)。

图6是表示W膜和热氧化膜的蚀刻速率的比的图(之二)。