[发明专利]基板处理方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有所述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：

向所述处理容器供给成膜气体，在所述被处理基板上进行成膜的成膜工序；

在所述成膜工序之后，向所述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行所述处理容器内的清洁的清洁工序；和

在所述清洁工序之后，在所述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，

在所述清洁工序中，包括控制所述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的所述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在所述涂敷工序中，包括相比所述成膜工序的对所述被处理基板进行成膜的情况，使所述保持台的温度降低并进行所述涂敷成膜的低温成膜工序。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述清洁气体由NF₃构成，在所述成膜工序中成膜的膜含有W。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述高压工序中，所述处理容器内的压力为20Torr以上。

4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述高压工序中，所述保持台的温度为350℃以上。

5.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

所述清洁工序包括使所述处理容器内的压力比所述高压工序中的压力低，并对所述处理容器内进行清洁的低压工序。

6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述低压工序中，所述处理容器内的压力为10Torr以下。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述低压工序中，所述保持台的温度为300℃以下。

8.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述低压工序中，所述基板保持台的温度比所述高压力工序中的温度低。

9.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述清洁工序中，在所述低压工序之后实施所述高压工序。

10.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述低温成膜工序中，所述保持台的温度为430℃以下。

11.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述涂敷工序还包括使所述保持台的温度比所述低温成膜工序中的温度高，并对所述处理容器内进行涂敷成膜的高温成膜工序，

12.如权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述涂敷工序中，在所述低温成膜工序之后进行所述高温成膜工序。

13.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述清洁工序和所述涂敷工序之间，还具有由惰性气体对所述处理容器内进行吹扫的吹扫工序。

14.一种记录介质，其存储有在计算机中运行成膜装置的基板处理方法的程序，该成膜装置包括：保持被处理基板并且具有加热单元的保持台、和在内部配置有所述保持台的处理容器，该记录介质的特征在于：

所述基板处理方法包括：

向所述处理容器供给成膜气体，在所述被处理基板上进行成膜的成膜工序；

在所述成膜工序之后，向所述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行所述处理容器内的清洁的清洁工序；和

在所述清洁工序之后，在所述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，

在所述清洁工序中，包括控制所述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的所述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在所述涂敷工序中，包括相比所述成膜工序的对所述被处理基板进行成膜时的情况，使所述保持台的温度降低的低温成膜工序。