[发明专利]制造半导体器件结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件结构的方法，在该方法中，在衬底上淀积第一材料层的过程中，使用基于卤素的前驱体，以及其中使用来自所述淀积的残余卤素以催化在所述第一层上的第二材料层的生长。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第一材料层是扩散阻挡层。

3.根据权利要求1的方法，其中在限定在所述衬底中的沟槽或通孔的底部和/或侧壁上淀积所述第一材料层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第二材料层是金属层。

5.根据权利要求3的方法，其中所述第二材料层是金属层，并且当所述第二层填充所述沟槽或通孔时，所述残余卤素催化所述第二层的生长。

6.根据权利要求1的方法，其中使用汽相淀积来淀积所述第一层。

7.根据权利要求6的方法，其中使用原子层淀积和/或化学汽相淀积来淀积所述第一层。

8.根据权利要求1的方法，其中使用汽相淀积来淀积所述第二层。

9.根据权利要求8的方法，其中使用原子层淀积和/或化学汽相淀积来淀积所述第二层。

10.根据权利要求1的方法，其中所述基于卤素的前驱体是基于碘或溴的前驱体。

11.根据权利要求4的方法，其中所述第二材料层包括铜。

12.根据权利要求1的方法，其中所述第一材料层包括TiN。

13.根据权利要求1的方法，其中所述结构是互连结构。