[发明专利]具有相互连接的栅极沟槽的功率半导体设备

权利要求书

1、一种功率半导体设备，该设备包括：

漂移区，该漂移区具有第一导电率；

基区，该基区具有第二导电率且位于所述漂移区上；

第一组沟槽，该第一组沟槽通过所述基区延伸到所述漂移区；

第一周边沟槽，该第一周边沟槽被布置在第一栅极沟槽周围并且与所述第一栅极沟槽相交；

栅极绝缘层，该栅极绝缘层形成在毗邻所述基区的各个栅极沟槽中；以及

栅电极，该栅电极位于每个第一栅极沟槽中。

2、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述周边沟槽为终止沟槽。

3、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括终止沟槽，该终止沟槽被布置在所述周边沟槽周围。

4、根据权利要求3所述的功率半导体设备，该设备进一步包括等势环沟槽，该等势环沟槽位于所述终止沟槽周围。

5、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括栅极总线，该栅极总线被布置在所述第一周边沟槽的至少一部分上并且电连接到位于所述周边沟槽中的所述栅电极。

6、根据权利要求5所述的功率半导体设备，其中所述栅极总线进一步包括场板。

7、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括栅极总线，该栅极总线被布置在所述第一周边沟槽的至少一部分上并且电连接到位于所述第一周边沟槽中的所述栅电极。

8、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述栅电极由导电多晶硅构成。

9、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述栅极绝缘物由二氧化硅构成。

10、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中各个所述栅极沟槽包括曲形底面部分。

11、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括绝缘体，该绝缘体被布置在各个栅极沟槽的底部，该绝缘体比所述栅极绝缘物厚。

12、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括具有所述第一导电率的导电区，该导电区位于所述基区上且毗邻所述各个栅极沟槽。

13、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述漂移区被布置在基片上。

14、根据权利要求13所述的功率半导体设备，其中所述基片由硅构成。

15、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述功率半导体设备为金属氧化层半导体场效晶体管。

16、根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述功率半导体设备为绝缘栅双极晶体管。

17、根据权利要求1所述的功率半导体设备，该设备进一步包括：

第二组栅极沟槽，该第二组栅极沟槽通过所述基区延伸到所述漂移区中；

第二周边沟槽，该第二周边沟槽被布置在所述第二栅极沟槽周围并且与所述第二栅极沟槽相交；

栅极绝缘层，该栅极绝缘层形成在毗邻所述基区的各个第二栅极沟槽中；以及

栅电极，该栅电极位于每个栅极沟槽中。